[發明專利]一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊

在審

• 申請號: 202011085086.4
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112104238A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 陳琳琳;郭鵬亮;賀宗攀;張自學
• 申請（專利權）人: 四川科陸新能電氣有限公司
• 主分類號: H02M7/00
• 分類號: H02M7/00;H02M7/483;H02M7/493;H05K7/14;H05K7/20;H05K5/02
• 代理公司: 成都金英專利代理事務所(普通合伙) 51218
• 代理人: 袁英

1.一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊包括兩個單功率模塊，每個單功率模塊包括單面無側壁的凹槽狀殼體、設置于凹槽狀殼體內部的IGBT固定平臺、設置于凹槽狀殼體內部的功率模塊組件和用于凹槽狀殼體頂部封裝的蓋板（1）；其中：所述功率模塊組件包括IGBT功率組件（3）、IGBT驅動板（4）、散熱器（5）、直流濾波組件；所述直流濾波組件包括薄膜電容（7）和疊層母排，底層母排（2）設置于薄膜電容（7）和蓋板（1）之間，所述IGBT功率組件（3）和IGBT驅動板（4）固定設置于IGBT固定平臺，所述薄膜電容（7）與IGBT固定平臺并排設置，并通過設置于殼體無側壁處設置的散熱器（5）提高單功率模塊散熱效率。

2.如權利要求1所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述IGBT功率組件（3）采用I型三電平結構，所述兩個單功率模塊通過IGBT功率組件內的I型三電平結構直并連接，將兩個包含IGBT功率組件（3）的單功率模塊直并為一路。

3.如權利要求1所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述薄膜電容（7）上接觸面、IGBT功率組件（3）上接觸面、IGBT驅動組件上接觸面和散熱器（5）上接觸面處于同一平面。

4.如權利要求3所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述疊層母排采用五路疊四層的平面結構，配合IGBT并聯結構，實現IGBT均流設計。

5.如權利要求1所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述IGBT固定平臺與殼體底面之間連接設置有支撐板，所述支撐板設置于靠殼體內側壁兩側，支撐板與IGBT固定平臺構成便于散熱的腔體空間。

6.如權利要求5所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述散熱器（5）設置于腔體空間的殼體無側壁方向側，用以通過腔體空間對功率模塊組件進行散熱。

7.如權利要求1所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述單功率模塊還包括貼附設置于IGBT驅動板（4）的銅排組（6），用以提高功率模塊組件的散熱效率。

8.如權利要求1所述的一種儲能變流器I型三電平結構直并功率模塊，其特征在于，所述蓋板（1）設置有散熱孔。