[發明專利]一種超小樣品背面拋光處理的方法

有效

• 申請號: 202011084320.1
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112345336B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 周文婷;段淑卿;凌翔;高金德
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G01N1/32
• 分類號: G01N1/32;B24B29/02;B24B41/06
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供用于失效分析的芯片；

步驟二、將所述芯片正面朝下粘在涂有熱熔膠的第一墊片上；

步驟三、提供四個蓋玻片作為拼接墊片，將所述拼接墊片拼在所述芯片的周圍；

步驟四、檢查所述芯片與其周圍的所述拼接墊片的縫隙大小，并調整拼接程度直至所述拼接墊片嚴絲合縫拼在所述芯片周圍為止；

步驟五、對所述芯片進行冷卻固定；

步驟六、在手動研磨機上用鉆石砂紙對所述芯片背面進行拋光，使得所述拼接墊片與所述芯片具有相同高度；

步驟七、將所述第一墊片放在加熱臺上進行加熱并取下所述芯片和所述拼接墊片備用；

步驟八、提供一載玻片，將所述芯片正面朝上粘在涂有熱熔膠的所述載玻片上，并冷卻固定；

步驟九、通過背面式發射顯微鏡對所述芯片正面扎針，背面獲取熱點；

步驟十、將裝有所述芯片的所述載玻片放在加熱臺上加熱，取下所述芯片；

步驟十一、將所述芯片正面朝上置于涂有AB膠的第二墊片上，并將步驟七中的所述拼接墊片拼在所述芯片的周圍；之后檢查所述芯片與其周圍的所述拼接墊片的縫隙大小，并調整拼接程度直至所述拼接墊片嚴絲合縫拼在所述芯片周圍為止；所述第二墊片、芯片和其周圍的所述拼接墊片構成樣品；

步驟十二、在加熱臺上加熱所述樣品，當所述芯片和所述墊片固定在所述第二墊片上后，對所述樣品進行冷卻；

步驟十三、對所述樣品正面去層處理，并利用掃描顯微鏡確定所述熱點周圍的失效位置。

2.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟一中的所述芯片為通過加熱發煙硝酸去除超小樣品的封裝而獲取背面減薄的芯片。

3.根據權利要求2所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟一中的所述芯片的尺寸約為1mm×0.5mm。

4.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟二中將所述芯片粘在涂有熱熔膠的所述第一墊片上的方法包括：先選擇光片作為所述第一墊片；將所述第一墊片倒角后放在加熱臺上進行加熱；之后將熱熔膠均勻涂在加熱的第一墊片上；接著將所述芯片正面朝下粘在所述第一墊片上。

5.根據權利要求4所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟二中的所述第一墊片是尺寸約10mm×15mm的光片。

6.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟四中用光學顯微鏡檢查所述芯片與其周圍的所述拼接墊片的縫隙大小。

7.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟八中提供一載玻片，并將所述載玻片放在加熱臺上進行加熱；之后在所述載玻片上涂熱熔膠。

8.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟十一中將所述芯片置于涂有AB膠的所述第二墊片上的方法包括：先選擇光片作為所述第二墊片；將所述第二墊片倒角后將AB膠均勻涂在第二墊片上；接著將所述芯片正面朝上置于所述第二墊片上。

9.根據權利要求8所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟十一中的所述第二墊片是尺寸約10mm×15mm的光片。

10.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：步驟十一中用光學顯微鏡檢查所述芯片與其周圍的所述拼接墊片的縫隙大小。

11.根據權利要求1所述的超小樣品背面拋光處理的方法，其特征在于：該方法還包括步驟十四、通過透射電鏡對所述失效位置確定其失效機理。