[發明專利]晶圓的濕法清洗方法

在審

• 申請號: 202011083802.5
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112259443A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 王友長
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

本發明涉及晶圓的濕法清洗方法，涉及半導體集成電路制造技術，在進行濕法清洗時，清洗液從晶圓的邊緣開始噴射并逐漸移動至晶圓的中心位置，而避免火山型缺陷集中在晶圓中心位置，并同時可減少晶圓面內的火山型缺陷，而提高半導體器件的良率，本發明僅通過改變清洗液的噴射路線即可實現，工藝簡單，成本較低。

技術領域

本發明涉及半導體集成電路制造技術，尤其涉及一種晶圓的濕法清洗方法。

背景技術

在半導體集成電路的制造過程中，需對晶圓進行清洗以去除殘留在晶圓表面的雜質，通常采用濕法清洗工藝。如圖1A至圖1D所示，是現有晶圓的清洗方法的各步驟中的器件結構圖，現有晶圓101的清洗方法包括如下步驟：

步驟一、如圖1A和1B所示，提供一晶圓101。通常，所述晶圓101由單晶硅襯底圓片組成。在所述晶圓101的表面形成有二氧化硅層102，在所述二氧化硅層102上積累有第一導電類型電荷103；或者，在所述晶圓101的表面形成有氮化硅層，在所述氮化硅層上積累有第一導電類型電荷103。

如圖1B所示，在所述晶圓101的表面積累有第一導電類型電荷103，第一導電類型電荷103會對所述晶圓101的正面造成一定的變形。圖1B中，第一導電類型電荷103為負電荷。所述晶圓101的表面積累的第一導電類型電荷103通常由之前的工藝形成，且與工藝條件有很強的相關性，如在旋轉鍍膜(Spin coating)工藝中產生。

步驟二、如圖1C所示，對所述晶圓101的正面進行化學濕法清洗，通過所述化學濕法清洗去除所述晶圓101的正面殘留的雜質。

圖1C中，標記104對應于所述化學濕法清洗的清洗液的供應源，標記105對應于清洗液的噴射路徑，清洗液從供應源104中通入到噴射路徑105中并從噴射路徑105噴射到所述晶圓101的正面，現有技術中噴射路徑105一直在晶圓中心噴射清洗液，并清洗液中具有第二導電類型電荷，與第一導電類型電荷103相反，第二導電類型電荷為正電荷。

所述化學濕法清洗的清洗液為二氧化碳水溶液(CO2Water，CO2W)。

但是，如圖1D所示，在化學濕法清洗過程中，積累的第一導電類型電荷103會和所述化學濕法清洗的清洗液中的第二導電類型電荷發生反應產生火山型缺陷(volcanodefect)106。

并如圖1C所示，由于噴射路徑105一直在晶圓中心噴射清洗液，因此火山型缺陷(volcano defect)好發在晶圓中心位置，而晶圓中心位置為半導體器件的集中區域，因此嚴重影響半導體器件的良率。

發明內容

本發明在于提供一種晶圓的濕法清洗方法，包括：S1：提供一晶圓，在所述晶圓的表面積累有第一導電類型電荷；以及S2：對所述晶圓的表面進行濕法清洗工藝，以去除所述晶圓的表面殘留的雜質，其中所述濕法清洗工藝的清洗液從晶圓的邊緣開始噴射并逐漸移動至晶圓的中心位置，清洗液中具有第二導電類型電荷，并第二導電類型電荷與第一導電類型電荷的電荷類型相反。

更進一步的，所述晶圓由單晶硅襯底圓片組成。

更進一步的，在所述晶圓的表面形成有二氧化硅層，在所述二氧化硅層上積累有所述第一導電類型電荷。

更進一步的，在所述晶圓的表面形成有氮化硅層，在所述氮化硅層上積累有所述第一導電類型電荷。

更進一步的，所述晶圓的表面積累的所述第一導電類型電荷由膜層形成工藝形成。

更進一步的，所述膜層形成工藝為旋轉鍍膜工藝。

更進一步的，清洗液由供應源提供至噴射路徑中，并由噴射路徑噴射至所述晶圓的表面，在開始噴射清洗液時，所述噴射路徑位于晶圓的邊緣，然后逐漸移動至晶圓的中心。

更進一步的，由一移動構件將噴射路徑從晶圓的邊緣逐漸移動至晶圓的中心。