[發(fā)明專利]晶圓的濕法清洗方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011083802.5
• 申請日: 2020-10-12
• 公開（公告）號: CN112259443A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 王友長
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 張彥敏

1.一種晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，包括：

S1：提供一晶圓，在所述晶圓的表面積累有第一導電類型電荷；以及

S2：對所述晶圓的表面進行濕法清洗工藝，以去除所述晶圓的表面殘留的雜質(zhì)，其中所述濕法清洗工藝的清洗液從晶圓的邊緣開始噴射并逐漸移動至晶圓的中心位置，清洗液中具有第二導電類型電荷，并第二導電類型電荷與第一導電類型電荷的電荷類型相反。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，所述晶圓由單晶硅襯底圓片組成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，在所述晶圓的表面形成有二氧化硅層，在所述二氧化硅層上積累有所述第一導電類型電荷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，在所述晶圓的表面形成有氮化硅層，在所述氮化硅層上積累有所述第一導電類型電荷。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，所述晶圓的表面積累的所述第一導電類型電荷由膜層形成工藝形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，所述膜層形成工藝為旋轉(zhuǎn)鍍膜工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，清洗液由供應源提供至噴射路徑中，并由噴射路徑噴射至所述晶圓的表面，在開始噴射清洗液時，所述噴射路徑位于晶圓的邊緣，然后逐漸移動至晶圓的中心。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，由一移動構(gòu)件將噴射路徑從晶圓的邊緣逐漸移動至晶圓的中心。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，第二導電類型電荷為正電荷，第一導電類型電荷的電荷為負電荷。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓的濕法清洗方法，其特征在于，第二導電類型電荷為負電荷，第一導電類型電荷的電荷為正電荷。