[發(fā)明專利]一種基于微納隔離結(jié)構(gòu)的高密度低串?dāng)_波導(dǎo)陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011078336.1
• 申請日: 2020-10-10
• 公開（公告）號: CN112180506B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮吉軍;劉海鵬;孫福領(lǐng);曾和平
• 申請（專利權(quán)）人: 上海理工大學(xué)
• 主分類號: G02B6/124
• 分類號: G02B6/124
• 代理公司: 上海邦德專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31312
• 代理人: 梁劍

1.一種基于微納隔離結(jié)構(gòu)的高密度低串?dāng)_波導(dǎo)陣列，其特征在于，包括基底以及基于硅波導(dǎo)的芯層；

所述芯層包括多個相同結(jié)構(gòu)參數(shù)的硅寬波導(dǎo)和多個硅周期光柵；多個所述硅寬波導(dǎo)等間距布置于所述基底上，相鄰的兩個所述硅寬波導(dǎo)之間設(shè)有兩個不同參數(shù)結(jié)構(gòu)的硅周期光柵；

相鄰的所述硅寬波導(dǎo)之間的兩個所述硅周期光柵，其中一個所述硅周期光柵的周期為0.3～0.4μm，占空比為0.3～0.4，寬度為0.12μm，光柵數(shù)目為1500～2000；

另一個所述硅周期光柵的周期為0.3～0.4μm，占空比為0.5～0.8，寬度為0.12μm，光柵數(shù)目為1500～2000；

兩個所述硅周期光柵之間間距為0.1μm；位于左側(cè)的所述硅周期光柵距離左側(cè)所述硅寬波導(dǎo)間距為0.1μm，位于右側(cè)的所述硅周期光柵距離右側(cè)所述硅寬波導(dǎo)間距為0.06μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微納隔離結(jié)構(gòu)的高密度低串?dāng)_波導(dǎo)陣列，其特征在于，基于所述基底 的表面還布置一層二氧化硅包層，所述二氧化硅包層包裹住所述芯層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微納隔離結(jié)構(gòu)的高密度低串?dāng)_波導(dǎo)陣列，其特征在于，所述基底包括硅基襯底和二氧化硅緩沖層，所述二氧化硅緩沖層設(shè)于所述硅基襯底表面，所述芯層設(shè)于所述二氧化硅緩沖層表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于微納隔離結(jié)構(gòu)的高密度低串?dāng)_波導(dǎo)陣列，其特征在于，所述硅寬波導(dǎo)由600μm長的直波導(dǎo)組成，寬度為0.5μm以基本保持單模條件，相鄰的所述硅寬波導(dǎo)之間的間隙為1μm。