[發明專利]半導體封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202011069697.X
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112435970A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 呂文隆
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/14
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開提供了半導體封裝結構及其制造方法。該半導體封裝結構的一具體實施方式包括：線路基板，具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，第一封裝層，設置于第一表面，包括第一電子組件和第一封裝材，第一緩沖層，設置于第一表面與第一封裝層之間，其中，線路基板的熱膨脹系數CTE大于第一封裝層的CTE，第一緩沖層的CTE大于第一封裝材的CTE。該半導體封裝結構可以減少翹曲。

技術領域

本公開涉及半導體封裝技術領域，具體涉及半導體封裝結構及其制造方法。

背景技術

隨著電子產品系統微小型化、多功能化和高效率需求的日益增加，對電子元器的小薄輕的要求以及對系統高密度封裝的要求也日益增加。

在半導體封裝制造的過程中，可能會包括各種高溫制造工藝，各組件可能會處于高溫狀態。例如，在塑料封裝材通過加熱會固化成熱固性塑料以將組件包覆模塑成型的過程中，半固態、固態塑料處于高溫狀態。在各組件處于高溫環境下，由不同材料形成的各組件可能會具有不同的熱膨脹系數(CTE)，進而可能由于各組件之間CTE不匹配而產生翹曲，導致各組件之間的界面產生分層。

發明內容

本公開提出了半導體封裝結構及其制造方法。

第一方面，本公開提供了一種半導體封裝結構，該半導體封裝結構包括：線路基板，具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面；第一封裝層，設置于第一表面，包括第一電子組件和第一封裝材；第一緩沖層，設置于第一表面與第一封裝層之間；其中，線路基板的熱膨脹系數CTE大于第一封裝層的CTE，第一緩沖層的CTE大于第一封裝材的CTE。

在一些可選的實施方式中，還包括：第二封裝層，設置于第二表面，包括第二電子組件和第二封裝材，其中，第一封裝層的CTE小于第二封裝層的CTE。

在一些可選的實施方式中，還包括：第二緩沖層，設置于第二表面與第二封裝層之間，第二緩沖層的CTE為負值。

在一些可選的實施方式中，第二緩沖層相對于第一緩沖層更靠近線路基板的邊緣。

在一些可選的實施方式中，線路基板還具有與第一表面相鄰的第三表面、第四表面、第五表面以及第六表面，第二緩沖層與第三表面、第四表面、第五表面以及第六表面中至少一表面共平面。

在一些可選的實施方式中，第一緩沖層嵌入至線路基板和第一封裝材之中。

在一些可選的實施方式中，第一緩沖層嵌入至線路基板的部分的體積小于等于第一緩沖層嵌入至第一封裝材的部分的體積。

在一些可選的實施方式中，第一緩沖層嵌入至線路基板的部分的高度小于等于第一緩沖層嵌入至第一封裝材的部分的高度。

在一些可選的實施方式中，第二緩沖層嵌入至線路基板和第二封裝材之中。

在一些可選的實施方式中，第二緩沖層嵌入至線路基板的部分的體積小于等于第二緩沖層嵌入至第二封裝材的部分的體積。

在一些可選的實施方式中，第二緩沖層嵌入至線路基板的部分的高度小于等于第二緩沖層嵌入至第二封裝材的部分的高度。

在一些可選的實施方式中，半導體封裝結構還包括：第一線路層，設置于第一封裝層；第二線路層，設置于第二封裝層。

在一些可選的實施方式中，該半導體封裝結構還包括：導電連接件，設置于第一表面。

在一些可選的實施方式中，第一緩沖層和第二緩沖層的徑向截面為半圓形、長方形、正方形、梯形、三角形中的任意一種。