[發(fā)明專利]一種抗dv/dt的SGT器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011065162.5 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN111987074A | 公開（公告）日： | 2020-11-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭喬;林泳浩;李偉聰 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市威兆半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/552 | 分類號： | H01L23/552;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 dv dt sgt 器件 | ||
1.一種抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，包括：
第一導(dǎo)電類型的襯底；
第一導(dǎo)電類型的外延層，位于第一導(dǎo)電類型的襯底的上表面；
溝槽，位于第一導(dǎo)電類型的外延層內(nèi)，且沿第一導(dǎo)電類型的外延層的厚度方向延伸；
所述溝槽內(nèi)設(shè)有多晶硅柵極和屏蔽柵極；
第一介質(zhì)層，位于屏蔽柵極的底面及側(cè)面、多晶硅柵極的側(cè)面，以及用于隔離多晶硅柵極與屏蔽柵極；
第一導(dǎo)電類型的輕摻雜體區(qū)，位于溝槽的底部，且位于屏蔽柵極的下方；
第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s體區(qū)，位于屏蔽柵極外圍的第一介質(zhì)層與溝槽的下部側(cè)壁之間，以及位于屏蔽柵極外圍的第一介質(zhì)層與第一導(dǎo)電類型的輕摻雜體區(qū)的上表面之間；
源極金屬，位于第一導(dǎo)電類型的外延層側(cè)面上方，且沿第一導(dǎo)電類型的外延層的厚度方向延伸；
第二介質(zhì)層，位于溝槽的上表面，且沿垂直于溝槽的延伸方向延伸至與源極金屬的側(cè)壁相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述屏蔽柵極包括一個(gè)寬部柵極及若干個(gè)窄部柵極，且寬部柵極位于窄部柵極的上方；所述若干個(gè)窄部柵極沿垂直于溝槽延伸的方向間隔排布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述寬部柵極的寬度大于窄部柵極的寬度，且寬部柵極的長度小于窄部柵極的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述寬部柵極、窄部柵極與源極金屬電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述SGT器件還包括：第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，位于溝槽的外圍，且位于第一導(dǎo)電類型的外延層的上表面；所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)中具有相互接觸的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)與第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s接觸區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述源極金屬的下表面與第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s接觸區(qū)直接接觸，源極金屬的側(cè)面還與第一導(dǎo)電類型的源區(qū)、第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s接觸區(qū)直接接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述SGT器件還包括：柵極電極，與多晶硅柵極相連接；
漏極金屬，位于第一導(dǎo)電類型的襯底的下表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗dv/dt的SGT器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型的輕摻雜體區(qū)的摻雜濃度小于第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s體區(qū)，且小于第一導(dǎo)電類型的外延層。
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