[發明專利]一種刻蝕設備在審
| 申請號: | 202011063042.1 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN114334703A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 呂光強 | 申請(專利權)人: | 矽磐微電子(重慶)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415 | 代理人: | 張相欽 |
| 地址: | 401331 重*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 設備 | ||
1.一種刻蝕設備,其特征在于,其包括:
刻蝕液箱,具有盛放刻蝕液的刻蝕液腔,上端設有與所述刻蝕液腔連通的刻蝕開口;
傳送裝置,能夠將待刻蝕的產品傳送至所述刻蝕開口上方;
壓合裝置,用于將產品壓合于所述刻蝕開口處,所述壓合裝置的至少一部分設于所述刻蝕開口正上方以外的區域。
2.如權利要求1所述的刻蝕設備,其特征在于,所述壓合裝置包括安裝軸及能夠移動至所述刻蝕開口上方并能夠壓合產品的壓板,所述壓板樞接于所述安裝軸,所述安裝軸設于所述刻蝕開口正上方以外的區域。
3.如權利要求2所述的刻蝕設備,其特征在于,所述壓合裝置包括驅動機構,所述壓板包括用于壓合產品的壓合部、驅動部及設于壓合部和驅動部之間的安裝部,所述安裝部可轉動的設于所述刻蝕開口正上方以外的區域,所述驅動機構與所述驅動部連接,以驅動所述驅動部轉動而使得所述壓合部轉動。
4.如權利要求3所述的刻蝕設備,其特征在于,所述刻蝕設備包括控制裝置,所述驅動機構包括驅動塊及驅動電機,所述驅動塊與所述驅動電機驅動連接,所述控制裝置與所述驅動電機電連接,所述控制裝置能夠控制所述驅動電機的工作狀態,使得所述驅動塊能夠抵于所述驅動部,以驅動所述驅動部及所述壓合部轉動。
5.如權利要求3所述的刻蝕設備,其特征在于,所述壓合部靠近所述安裝部的一側設有防溢溝槽。
6.如權利要求1所述的刻蝕設備,其特征在于,所述傳送裝置包括傳送軌道及產品掛件,所述產品掛件用于掛設產品,所述產品掛件能夠沿所述傳送軌道移動,以將所述產品移動至所述刻蝕開口之上。
7.如權利要求6所述的刻蝕設備,其特征在于,所述產品掛件可拆卸的設于所述傳送軌道。
8.如權利要求6所述的刻蝕設備,其特征在于,所述產品掛件包括連接部、升降機構及承載部,所述連接部連接于所述傳送軌道并能沿所述傳送軌道移動,所述承載部通過升降機構設于所述連接部,所述升降機構能夠驅動所述承載部升降。
9.如權利要求6所述的刻蝕設備,其特征在于,所述產品掛件下側設有吸盤結構,所述吸盤結構能夠吸放所述產品。
10.如權利要求6所述的刻蝕設備,其特征在于,所述傳送軌道設于刻蝕開口的外側,且所述傳送軌道和所述壓合裝置設于所述刻蝕液箱的不同側。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于矽磐微電子(重慶)有限公司,未經矽磐微電子(重慶)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011063042.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





