[發(fā)明專利]一種隨電源電壓變化的振蕩器及芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011062086.2 | 申請日： | 2020-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN112087201A | 公開（公告）日： | 2020-12-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐明揆;劉夢 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市芯天下技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H03B5/04 | 分類號： | H03B5/04;H03B5/12 |
| 代理公司： | 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陳志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍崗區(qū)橫*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 電源 電壓 變化 振蕩器 芯片 | ||
1.一種隨電源電壓變化的振蕩器，其特征在于，包括：
偏置電壓產(chǎn)生電路，用于產(chǎn)生NMOS的偏置電壓N_BIAS和PMOS的偏置電壓P_BIAS；
振蕩器電路，包括環(huán)形振蕩器，所述環(huán)形振蕩器根據(jù)NMOS的偏置電壓N_BIAS和PMOS的偏置電壓P_BIAS控制自身的振蕩頻率；
電源電壓檢測電路，實(shí)時(shí)檢測電源電壓的高低，根據(jù)電源電壓的高低控制NMOS的偏置電壓N_BIAS和PMOS的偏置電壓P_BIAS的高低，使環(huán)形振蕩器的振蕩頻率不隨電源電壓的高低而變化；
所述電源電壓檢測電路與偏置電壓產(chǎn)生電路連接，偏置電壓產(chǎn)生電路與電源電壓檢測電路連接；
所述偏置電壓產(chǎn)生電路包括至少兩路鏡像電流模塊，電源電壓檢測電路設(shè)置的數(shù)量與鏡像電流模塊設(shè)置的數(shù)量一致且一一對應(yīng)連接，每路鏡像電流模塊連接一路電源電壓檢測電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隨電源電壓變化的振蕩器，其特征在于，所述電源電壓檢測電路包括第一電阻R1、第二電阻R2和放大器U1，所述第一電阻R1的一端連接零電位參考點(diǎn)，第一電阻R1的另一端與第二電阻R2一端連接，第二電阻R2另一端接地，第一電阻R1另一端和第二電阻R2一端連接后與放大器U1的正輸入端連接，放大器U1的負(fù)輸入端與偏置電壓產(chǎn)生電路連接，放大器U1的輸出端與偏置電壓產(chǎn)生電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的隨電源電壓變化的振蕩器，其特征在于，所述振蕩器電路包括第一PMOS管PM0、第二PMOS管PM1、第三PMOS管PM2、第四PMOS管PM3、第五PMOS管PM4、第六PMOS管PM5、第一NMOS管NM0、第二NMOS管NM1、第三NMOS管NM2、第四NMOS管NM3、第五NMOS管NM4和第六NMOS管NM5，所述第一PMOS管PM0的漏極連接零電位參考點(diǎn)，第一PMOS管PM0的源極與第二PMOS管PM1的漏極連接，第一PMOS管PM0的柵極連接偏置電壓產(chǎn)生電路；第二PMOS管PM1的源極與第一NMOS管NM0的漏極連接，第一NMOS管NM0的柵極與第二PMOS管PM1的柵極連接，第一NMOS管NM0的源極與第二NMOS管NM1的漏極連接，第二NMOS管NM1的源極接地，第二NMOS管NM1的柵極連接偏置電壓產(chǎn)生電路；第三PMOS管PM2的漏極連接零電位參考點(diǎn)，第三PMOS管PM2的源極與第四PMOS管PM3的漏極連接，第四PMOS管PM3的源極與第三NMOS管NM2的漏極連接，第三NMOS管NM2的柵極與第四PMOS管PM3的柵極連接，第三NMOS管NM2的源極與第四NMOS管NM3的漏極連接，第四NMOS管NM3的源極接地；第五PMOS管PM4的漏極連接零電位參考點(diǎn)，第五PMOS管PM4的源極與第六PMOS管PM5的漏極連接，第六PMOS管PM5的柵極與第五NMOS管NM4的柵極連接，第六PMOS管PM5的源極與第五NMOS管NM4漏極連接，第五NMOS管NM4的源極與第六NMOS管NM5的漏極連接，第六NMOS管NM5的漏極接地；第二PMOS管PM1的柵極和第一NMOS管NM0的柵極連接在一起后與振蕩器OSC連接，第五PMOS管PM4的源極和第六PMOS管PM5的漏極連接在一起后與振蕩器OSC連接；第一PMOS管PM0的柵極、第三PMOS管PM2的柵極和第五PMOS管PM4的柵極連接在一起；第二NMOS管NM1的柵極、第四NMOS管NM3的柵極、和第六NMOS管NM5的柵極連接在一起；第二PMOS管PM1的源極和第一NMOS管NM0的漏極連接在一起后與第四PMOS管PM3的柵極與第三NMOS管NM2的柵極的連接點(diǎn)連接在一起，第四PMOS管PM3的源極和第三NMOS管NM2的漏極連接與第六PMOS管PM5的柵極與第五NMOS管NM4的柵極連接點(diǎn)連接在一起。
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