[發明專利]顯示設備及制造顯示設備的方法在審
| 申請號: | 202011060988.2 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112635523A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 白承仁;金建植;權美羅;柳永浚;樸玲恩;李政桓;崔守真;韓筵昊;洪宗范 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 制造 方法 | ||
1.顯示設備,包括:
第一基礎襯底,所述第一基礎襯底上限定有發光區域和圍繞所述發光區域的非發光區域;
波長轉換圖案,在所述發光區域中設置在所述第一基礎襯底上;以及
發光元件層,設置在所述波長轉換圖案上,
其中,所述發光元件層包括像素電極、有機發光層和公共電極,所述像素電極包括設置在所述波長轉換圖案與所述第一基礎襯底之間的第一導電圖案以及設置在所述第一導電圖案上的第二導電圖案,且所述波長轉換圖案插置在所述第一導電圖案和所述第二導電圖案之間,所述有機發光層設置在所述第二導電圖案上,所述公共電極設置在所述有機發光層上。
2.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述第一導電圖案包括設置在所述波長轉換圖案與所述第一基礎襯底之間的第一導電膜以及設置在所述第一導電膜與所述波長轉換圖案之間的第二導電膜。
3.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,
所述第一導電膜包括氧化物導電材料,
所述第二導電膜包括金屬,以及
所述第二導電圖案包括氧化物導電材料。
4.根據權利要求2所述的顯示設備,其中,所述第二導電圖案覆蓋所述波長轉換圖案的側面并且與所述第二導電膜接觸。
5.根據權利要求4所述的顯示設備,還包括:
像素限定膜,在所述非發光區域中設置在所述第一基礎襯底上,
其中,所述像素限定膜與所述第二導電圖案的側面接觸。
6.根據權利要求2所述的顯示設備,還包括:
無機蓋層,覆蓋所述波長轉換圖案的側面,并且與所述波長轉換圖案的側面接觸,
其中,所述第二導電圖案設置在所述無機蓋層的至少頂表面上。
7.根據權利要求6所述的顯示設備,其中,所述第二導電圖案還設置在所述無機蓋層的側面上。
8.根據權利要求2所述的顯示設備,還包括:
阻擋壁,設置在所述波長轉換圖案的側面上和所述第二導電膜上;以及
第三導電圖案,設置在所述阻擋壁的側面和所述波長轉換圖案的側面之間。
9.根據權利要求8所述的顯示設備,其中,所述第三導電圖案覆蓋所述阻擋壁的所述側面和頂表面。
10.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述波長轉換圖案包括波長轉換顆粒和散射顆粒,所述波長轉換顆粒配置成轉換從所述發光元件層發射的光的波長。
11.根據權利要求1所述的顯示設備,其中,所述有機發光層包括兩個或更多個有機層。
12.根據權利要求1所述的顯示設備,還包括:
薄膜封裝層,與所述像素電極間隔開,且所述公共電極插置在所述薄膜封裝層與所述像素電極之間;以及
濾色器,與所述公共電極間隔開,且所述薄膜封裝層插置在所述濾色器與所述公共電極之間。
13.根據權利要求12所述的顯示設備,還包括:
第二基礎襯底,設置在所述濾色器上;以及
填充構件,設置在所述濾色器和所述薄膜封裝層之間。
14.顯示設備,包括:
基礎襯底,所述基礎襯底上限定有發光區域和圍繞所述發光區域的非發光區域;
波長轉換圖案,在所述發光區域中設置在所述基礎襯底上;以及
發光元件層,設置在所述波長轉換圖案和所述基礎襯底之間,
其中,所述發光元件層包括設置在所述波長轉換圖案和所述基礎襯底之間的像素電極、設置在所述波長轉換圖案和所述像素電極之間的有機發光層以及設置在所述有機發光層和所述波長轉換圖案之間的公共電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





