[發明專利]一種大發光角度襯底的加工方法

在審

• 申請號: 202011058458.4
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN112216770A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 李志聰;戴俊;王恩平;王國宏;吳杰
• 申請（專利權）人: 揚州中科半導體照明有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/20;H01L33/58
• 代理公司: 揚州云洋知識產權代理有限公司 32389
• 代理人: 高斯博

1.一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，包括以下具體步驟：

S1、準備已經制作好發光外延層結構及電極結構的襯底，其中，襯底厚度為100-300μm，襯底材料為藍寶石、金剛石、碳化硅、GaN、鋁酸鋰、氧化鋅等透明材料中的一種；

S2、在襯底背面蒸鍍一層金屬膜，并對金屬膜進行高溫快速退火獲得微納米尺度的球狀金屬顆粒，且球狀金屬顆粒隨機分布于襯底背面表層，其中，退火溫度為500-1000℃，退火時間為5-50s；

S3、以球狀金屬顆粒組成的圖案作為掩膜，對襯底背面進行刻蝕，襯底背面無球狀金屬顆粒覆蓋的區域被刻蝕出凹坑，刻蝕結束后，利用硝酸或王水浸泡，將襯底背面的球狀金屬顆粒去除，襯底背面形成微納米尺度且隨機分布的凹坑結構。

2.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S2中所述金屬膜為Ni、Au、Ag中的任意一種。

3.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S2中所述球狀金屬顆粒組成的圖案的厚度為10-1000nm。

4.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S2中進行金屬膜蒸鍍前，利用PECVD設備或原子層沉積鍍膜設備在襯底背面制作一層介質膜，介質膜為SiO2、Si3N4、Al2O3中的任意一種，介質膜厚度50-5000nm，步驟3中以球狀金屬顆粒組成的圖案和介質膜作為掩模，對襯底背面進行干法刻蝕，所述干法刻蝕為采用等離子氣體對襯底背面刻蝕。

5.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S3中進行刻蝕前，對襯底正面進行涂光刻膠保護。

6.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S3中對襯底背面的刻蝕為干法刻蝕或濕法刻蝕，所述干法刻蝕為采用等離子氣體對襯底背面刻蝕，所述濕法刻蝕為采用150-500℃的磷酸溶液對襯底背面浸泡刻蝕。

7.根據權利要求1所述的一種大發光角度襯底的加工方法，其特征在于，步驟S3中所形成的凹坑的寬度為0.1-5μm，深度為0.1-1μm。