[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)發(fā)光顯示面板及其制備方法、顯示裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011057649.9
• 申請(qǐng)日: 2020-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112186119B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳欣慰;張偉;徐燕燕;李存智;史大為;趙東升;郭鐘旭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;重慶京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10K50/813
• 分類(lèi)號(hào): H10K50/813;H10K59/12;H10K59/65;H10K71/00
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 尹璐

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上具有高像素密度區(qū)和低像素密度區(qū)；

多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，所述有機(jī)發(fā)光二極管具有陽(yáng)極、發(fā)光層以及陰極，

位于所述低像素密度區(qū)的所述有機(jī)發(fā)光二極管的所述陽(yáng)極具有背離所述襯底一側(cè)的凸起；

進(jìn)一步包括層間絕緣層，所述層間絕緣層自所述高像素密度區(qū)延伸至所述低像素密度區(qū)；

所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)具有平坦化層，所述平坦化層在所述襯底上的投影位于所述高像素密度區(qū)內(nèi)，

所述低像素密度區(qū)中形成所述陽(yáng)極處的所述層間絕緣層具有背離所述襯底一側(cè)的凸起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，所述凸起在垂直于所述襯底所在平面方向的截面為弧形或梯形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板，其特征在于，進(jìn)一步包括：

虛擬像素結(jié)構(gòu)，所述虛擬像素結(jié)構(gòu)位于所述高像素密度區(qū)內(nèi)，所述虛擬像素結(jié)構(gòu)包括多個(gè)薄膜晶體管以及至少一個(gè)電容。

4.一種制備權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的有機(jī)發(fā)光顯示面板的方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成多個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管，并令位于所述低像素密度區(qū)的所述有機(jī)發(fā)光二極管的所述陽(yáng)極具有背離所述襯底一側(cè)的凸起。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述襯底進(jìn)一步具有顯示區(qū)和彎折區(qū)，形成所述陽(yáng)極的凸起包括：

形成層間絕緣層材料，并利用構(gòu)圖工藝在所述彎折區(qū)處去除部分所述層間絕緣層材料形成凹槽，同時(shí)去除所述低像素密度區(qū)內(nèi)預(yù)定區(qū)域的部分所述絕緣層材料，

以在所述低像素密度區(qū)內(nèi)需要形成所述陽(yáng)極處的所述平坦化層上形成凸起。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括：權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的顯示面板。

7.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：

權(quán)利要求6所述的顯示裝置；

攝像模組，所述攝像模組位于所述顯示裝置朝向所述電子設(shè)備內(nèi)部的一側(cè)，且所述攝像模組的攝像頭位于所述顯示裝置中的低密度顯示區(qū)內(nèi)。