[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011056187.9 | 申請日: | 2020-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN112435980B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 呂文隆 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京植德律師事務(wù)所 11780 | 代理人: | 唐華東 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開提供了半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法。該半導(dǎo)體封裝裝置的一具體實施方式包括:粘性層,具有第一表面和第二表面;重布線層,設(shè)置于第一表面,重布線層包括介電層和重布線線路;第一電子元件,設(shè)置于第二表面;第一貫孔,貫穿粘性層和介電層,用于電連接重布線線路和第一電子元件。該半導(dǎo)體封裝裝置能夠方便地對重布線層進(jìn)行操作,有利于提高半導(dǎo)體封裝裝置的封裝效果和封裝效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及半導(dǎo)體封裝裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體工業(yè)通過持續(xù)減小最小特征尺寸來繼續(xù)提高各種各樣電子元件的整合密度,使得在給定的面積下可以集成更多的電子元件。目前,各種封裝結(jié)構(gòu)中均可能用到重布線層(Redistribution Layers,RDL)。重布線層是倒裝芯片組件中芯片與封裝之間的接口界面,目的是對芯片的鋁焊區(qū)位置進(jìn)行重新布局,使新焊區(qū)滿足對焊料球最小間距的要求,并使新焊區(qū)按照陣列排布。
由于重布線層相對于傳統(tǒng)封裝基板的層數(shù)較少、厚度較薄,結(jié)構(gòu)剛性較不足,因此在封裝過程中難以對重布線層進(jìn)行操作,這會對封裝效果和封裝效率帶來不利影響。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提出了半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法。
第一方面,本公開提供了一種半導(dǎo)體封裝裝置,包括:
粘性層,具有第一表面和第二表面;
重布線層,設(shè)置于所述第一表面,所述重布線層包括介電層和重布線線路;
第一電子元件,設(shè)置于所述第二表面;以及
第一貫孔,貫穿所述粘性層和所述介電層,用于電連接所述重布線線路和所述第一電子元件。
在一些可選的實施方式中,所述半導(dǎo)體封裝裝置還包括第二電子元件,設(shè)置于所述重布線層的遠(yuǎn)離所述粘性層的表面,與所述重布線線路電連接。
在一些可選的實施方式中,所述半導(dǎo)體封裝裝置還包括:
貫穿所述粘性層和所述重布線層的第二貫孔;
模塑體,充滿所述第二貫孔,且設(shè)置于所述粘性層的第二表面和所述重布線層的遠(yuǎn)離所述粘性層的表面,所述模塑體包覆所述第一電子元件和所述第二電子元件。
在一些可選的實施方式中,所述第二電子元件包括連接件,所述連接件遠(yuǎn)離所述重布線層的一端暴露在所述模塑體外。
在一些可選的實施方式中,所述第一電子元件部分嵌入所述粘性層。
在一些可選的實施方式中,所述第一電子元件的數(shù)目大于或者等于兩個,其中至少兩個所述第一電子元件的靠近所述粘性層的端面位于不同水平面。
在一些可選的實施方式中,所述第二貫孔的軸向截面的直徑在由所述介電層至所述粘性層的方向上逐漸減小。
第二方面,本公開提供了一種半導(dǎo)體封裝裝置的制造方法,包括:
提供一介電層;
在所述介電層上設(shè)置粘性層;
在所述粘性層上放置第一電子元件;以及
在所述介電層表面上設(shè)置重布線線路,形成重布線層,其中,所述重布線線路和所述第一電子元件通過貫穿所述粘性層和所述介電層的第一貫孔電連接。
在一些可選的實施方式中,所述方法還包括:
在所述重布線線路上放置第二電子元件,并使所述重布線線路和所述第二電子元件電連接。
在一些可選的實施方式中,所述方法還包括:
開設(shè)貫穿所述粘性層和所述重布線層的第二貫孔;以及
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