[發明專利]LDMOS晶體管及其制造方法

有效

• 申請號: 202011054657.8
• 申請日: 2020-09-30
• 公開（公告）號: CN111933716B
• 公開（公告）日: 2021-01-01
• 發明（設計）人: 鄭大燮
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種LDMOS晶體管，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底中形成有漏區和源區；

柵極，形成在所述襯底上，且所述源區和所述漏區分居所述柵極的兩側；

層間介質層，形成在所述襯底上并覆蓋所述柵極，所述層間介質層中形成有源極接觸孔和多個溝槽，所述源極接觸孔暴露出所述源區的部分表面，各個所述溝槽均位于所述柵極與所述漏區之間，且至少部分所述溝槽沿從所述柵極指向所述漏區的方向依次排列，和/或，至少部分所述溝槽沿平行于所述柵極的方向依次排列；

源極導電插塞，填充在所述源極接觸孔中，底部電性接觸所述源區；

源極場板，形成在所述柵極的上方，并從所述源極導電插塞的頂部指向所述漏區方向連續延伸并覆蓋各個所述溝槽的內表面。

2.如權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述源極場板為一體成型結構。

3.如權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述源極場板對各個所述溝槽部分填充。

4.如權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，各個所述溝槽的底部高于所述柵極的頂部。

5.如權利要求1所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述襯底上還形成有局部場氧結構，所述局部場氧結構一側的襯底中形成有阱區，所述源區形成在所述阱區中，所述局部場氧結構下方及另一側的襯底中還形成有漂移區，所述漏區形成在所述局部場氧結構另一側的漂移區中，所述柵極從部分所述阱區的表面上延伸到部分所述局部場氧結構的表面上，所述柵極和所述阱區之間設有柵氧層。

6.如權利要求5所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述層間介質層中還形成有漏極接觸孔，所述LDMOS晶體管還包括漏極導電插塞和漏極場板，所述漏極導電插塞填充在所述漏極接觸孔中，底部電性接觸所述漏區，所述漏極場板從所述漏極導電插塞的頂部延伸到部分局部場氧結構的上方，并與所述源極場板相互間隔。

7.如權利要求6所述的LDMOS晶體管，其特征在于，所述源極導電插塞、所述源極場板、所述漏極導電插塞和所述漏極場板采用同一層金屬形成。

8.一種如權利要求1至7中任一項所述的LDMOS晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有柵極，所述柵極兩側的襯底中形成有漏區和源區；

在所述襯底上形成第一層間介質層，所述第一層間介質層覆蓋所述柵極；

在所述第一層間介質層中形成源極接觸孔和多個溝槽，所述源極接觸孔暴露出所述源區的部分表面，各個所述溝槽均位于所述柵極與所述漏區之間；

形成源極導電插塞和源極場板，所述源極導電插塞填充在所述源極接觸孔中，底部電性接觸所述源區，所述源極場板形成在第一層間介質層的表面上并位于所述柵極的上方，且從所述源極導電插塞的頂部指向所述漏區方向連續延伸并覆蓋各個所述溝槽的內表面。

9.如權利要求8所述的制造方法，其特征在于，提供形成有柵極、源區和漏區的襯底的步驟包括：

提供一襯底，并在所述襯底中形成阱區和漂移區；

在部分所述漂移區上形成局部場氧結構；

在所述襯底上形成柵氧層和柵極，所述柵氧層覆蓋部分阱區，所述柵極從所述柵氧層的表面上延伸到部分所述局部場氧結構的表面上；

形成源區和漏區，所述源區形成在所述阱區中，所述漏區形成在所述局部場氧結構一側的漂移區中。

10.如權利要求9所述的制造方法，其特征在于，在所述第一層間介質層中形成所述源極接觸孔和多個所述溝槽時，先形成各個所述溝槽，后同時形成源極接觸孔和漏極接觸孔；或者，先同時形成源極接觸孔和漏極接觸孔，后形成各個所述溝槽。