[發(fā)明專利]一種帶通濾光片的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011049791.9 | 申請日： | 2020-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN112226729B | 公開（公告）日： | 2022-09-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇炎;李昱;陳居凱 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州眾為光電有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/02 | 分類號： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/58;B08B3/12;G02B5/28 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11369 | 代理人： | 孔凡玲 |
| 地址： | 215000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 濾光 制備 方法 | ||
本發(fā)明提供帶通濾光片的制備方法，包括鍍膜前對未鍍膜的空白基片進行拋光處理并超聲波清洗；在基片上鍍膜并對每一膜層進行膜層厚度控制；鍍膜的膜系結(jié)構(gòu)包括若干個法布里?帕羅腔及連接層；連接層為非四分之一波長的光學厚度的低折射率層；鍍膜后進行超聲波清洗；檢驗得到合格的帶通濾光片。本發(fā)明在膜系結(jié)構(gòu)和膜層厚度以及監(jiān)控方式上進行了改進，根據(jù)膜系結(jié)構(gòu)多次實驗選擇合適的監(jiān)控方法，可制備高精度的插損線性變化的帶通濾光片，該帶通濾光片的通帶插損或透過率具有線性變化，在通帶內(nèi)實現(xiàn)了在特定的波長范圍內(nèi)插損隨波長是線性變化的，在特定的波長范圍內(nèi)實現(xiàn)波長識別的功能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶通濾光片的制備方法。
背景技術(shù)
目前用于波長識別的器件有光柵器件以及帶通濾光片組合器件等。而帶通濾光片是使得某個特定波長或窄波段的光透過，通帶之外的光不能夠透過。通常應(yīng)用于分光等使用方向，帶通濾光片通常要求帶通濾光片的通帶插損或透過率要盡可能的平坦，紋波要小。
常規(guī)情況下，帶通濾光片的通帶內(nèi)都是要求紋波平坦，由1/4光學厚度的高低折射率介質(zhì)膜層交替堆疊，構(gòu)成多級的法布里-帕羅腔級聯(lián)形成。由于帶通濾波片的特點導(dǎo)致帶通濾波片很難實現(xiàn)插損隨波長線性變化，現(xiàn)有技術(shù)中還沒有帶通濾光片在通帶內(nèi)可實現(xiàn)插損隨波長是線性變化的。而帶通濾光片的制備過程中采用的膜系設(shè)計和制備方法對濾光片的性能至關(guān)重要。因此，需要提供一種新的制備方法制備出新的帶通濾光片，以保證帶通濾光片的功能的同時實現(xiàn)根據(jù)更少的濾光片得到更多波長。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種帶通濾光片的制備方法。
本發(fā)明的技術(shù)方案概述如下：
本發(fā)明提供一種帶通濾光片的制備方法，包括：
S1、鍍膜前對未鍍膜的空白基片進行拋光處理并超聲波清洗；
S2、在所述基片上鍍膜，并根據(jù)鍍膜的膜系對每一膜層進行膜層厚度控制；
其中，鍍膜的膜系的膜系結(jié)構(gòu)包括若干個法布里-帕羅腔及連接層；所述法布里-帕羅腔的結(jié)構(gòu)為：aHLHL2HLHLH、bHLHLHLHL2HLHL3HLHLH、cHLHLHL2HLHLHLH、dHLHL2HLHLA，其中，dHLHL2HLHLA為最后一層法布里-帕羅腔；
H為四分之一中心波長光學厚度的高折射率層，L為四分之一中心波長光學厚度的低折射率層；2H為兩個四分之一中心波長光學厚度，A為非四分之一光學厚度的高折射率層；a、b、c、d為每個所述法布里-帕羅腔的第一個高折射率層的四分之一中心波長光學厚度的系數(shù)；
所述法布里-帕羅腔之間通過所述連接層級聯(lián)，所述連接層為非四分之一波長的光學厚度的低折射率層。
S3、鍍膜后進行超聲波清洗；
S4、檢驗得到合格的帶通濾光片。
進一步地，所述法布里-帕羅腔的數(shù)量為9個。
進一步地，所述高折射率層的材料為Ta2O5、Nb2O5、TiO2中的至少之一，所述高折射率層的折射率在1304.5-1317nm的范圍為1.85至2.5。
進一步地，所述低折射率層的材料為SiO2、Al2O3、MgF2中的至少之一，所述低折射率層的折射率在1304.5-1317nm的范圍為1.38至1.6。
進一步地，所述基片為二氧化硅材料或硅材料基片，基片的折射率在1304.5-1317nm的范圍為1.45至3.5。
進一步地，所述法布里-帕羅腔的第一個高折射率層的四分之一中心波長光學厚度的系數(shù)通過上一個所述法布里-帕羅腔的最后一層的光學厚度優(yōu)化得出。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州眾為光電有限公司，未經(jīng)蘇州眾為光電有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011049791.9/2.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
