[發(fā)明專利]電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011041245.0
• 申請(qǐng)日: 2020-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN112864233B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴名柔;蔡嘉豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/417
• 分類號(hào): H01L29/417;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種電子裝置，其特征在于，包括：

基板；

多個(gè)晶體管，設(shè)置于所述基板上，且每一所述多個(gè)晶體管具有半導(dǎo)體、源極以及漏極；

多個(gè)漏極接觸孔，其中所述漏極通過所述多個(gè)漏極接觸孔電性連接至所述半導(dǎo)體；以及

數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述基板上，且電性連接至所述多個(gè)晶體管，其中所述數(shù)據(jù)線于所述多個(gè)漏極接觸孔內(nèi)的寬度為W2，所述數(shù)據(jù)線于所述多個(gè)漏極接觸孔外的寬度為W3，且W3小于或等于W2，

其中所述多個(gè)漏極接觸孔的數(shù)量小于所述漏極的數(shù)量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述多個(gè)晶體管中的至少兩個(gè)晶體管的所述漏極共用所述多個(gè)漏極接觸孔中的一個(gè)漏極接觸孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述多個(gè)晶體管中的至少兩個(gè)晶體管的所述漏極和所述源極共用所述多個(gè)漏極接觸孔中的一個(gè)漏極接觸孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子裝置，其特征在于，所述源極通過所述多個(gè)漏極接觸孔電性連接至所述半導(dǎo)體，且所述多個(gè)漏極接觸孔的數(shù)量小于所述源極的數(shù)量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，在所述數(shù)據(jù)線的延伸方向上，所述多個(gè)晶體管中的兩個(gè)晶體管彼此相鄰，且所述多個(gè)漏極接觸孔中的一個(gè)漏極接觸孔設(shè)置于相鄰的所述兩個(gè)晶體管之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，相鄰的所述兩個(gè)晶體管的所述漏極共用同一個(gè)漏極接觸孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子裝置，其特征在于，相鄰的所述兩個(gè)晶體管的所述漏極和所述源極共用同一個(gè)漏極接觸孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括：

轉(zhuǎn)接墊，設(shè)置于所述多個(gè)晶體管上，且電性連接至所述多個(gè)晶體管；以及

絕緣層，設(shè)置于所述轉(zhuǎn)接墊上以及所述多個(gè)漏極接觸孔內(nèi)，具有第三開孔與第四開孔，所述第三開孔與所述第四開孔分別暴露出部分的所述轉(zhuǎn)接墊，

其中，所述第三開孔鄰近所述漏極接觸孔的側(cè)壁不重疊于所述漏極接觸孔鄰近所述第三開孔的側(cè)壁，且所述第四開孔鄰近所述漏極接觸孔的側(cè)壁不重疊于所述漏極接觸孔鄰近所述第四開孔的側(cè)壁。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置，其特征在于，在掃描線的延伸方向上，所述多個(gè)晶體管中的兩個(gè)晶體管彼此相鄰，且相鄰的所述兩個(gè)晶體管的所述漏極和所述源極共用同一個(gè)漏極接觸孔。