[發明專利]一種復合納米材料及其制備方法、量子點發光二極管有效
| 申請號： | 202011039039.6 | 申請日： | 2020-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN114276551B | 公開（公告）日： | 2023-10-10 |
| 發明（設計）人： | 何斯納;吳龍佳;吳勁衡 | 申請（專利權）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;H10K50/15;H10K85/10;H10K85/60;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凱凱;吳志益 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 復合 納米 材料 及其 制備 方法 量子 發光二極管 | ||
1.一種復合納米材料，其特征在于，包括金屬化合物納米顆粒以及通過化學鍵與所述金屬化合物納米顆粒結合的苯胺-吡啶聚合物，所述苯胺-吡啶聚合物的化學結構式為
2.根據權利要求1所述的復合納米材料，其特征在于，所述苯胺-吡啶聚合物中吡啶單元的N原子與所述金屬化合物納米顆粒中的金屬離子形成配位鍵。
3.根據權利要求1所述的復合納米材料，其特征在于，所述n為500-800。
4.根據權利要求1-3任一所述的復合納米材料，其特征在于，所述金屬化合物為n型半導體金屬化合物材料或p型半導體金屬化合物材料。
5.根據權利要求4所述的復合納米材料，其特征在于，所述n型半導體金屬化合物材料為ZnO，ZnS，TiO2、SnO2、Ta2O3中的一種或多種；和/或，所述p型半導體金屬化合物材料為NiO、MoO3、WO3和V2O5中的一種或多種。
6.一種復合納米材料的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供金屬化合物納米顆粒；
向二鹵素苯胺化合物溶液中加入格式試劑，反應后再加入催化劑以及二鹵素吡啶溶液，混合反應制得苯胺-吡啶聚合物，所述苯胺-吡啶聚合物的化學結構式為
將所述金屬化合物納米顆粒和所述苯胺-吡啶聚合物溶解在有機溶劑中，混合使所述金屬化合物納米顆粒和所述苯胺-吡啶聚合物通過化學鍵結合，制得所述復合納米材料。
7.根據權利要求6所述復合納米材料的制備方法，其特征在于，所述二鹵素苯胺化合物為2,6-二溴苯胺或2，6-二氯苯胺；和/或，所述二鹵素吡啶為2,5-二溴吡啶或2,5二氯吡啶；和/或，所述格式試劑為異丙基氯化鎂；和/或，所述催化劑為1,3-雙(二苯基膦丙烷)二氯化鎳。
8.根據權利要求6所述復合納米材料的制備方法，其特征在于，所述二鹵素苯胺化合物與所述格式試劑的摩爾比為1：(1.5～2.5)；和/或，所述二鹵素苯胺化合物與所述催化劑的摩爾比為1：(0.2～0.5)；和/或，所述二鹵素苯胺化合物與所述二鹵素吡啶的摩爾比為1：(2～3)。
9.根據權利要求6所述復合納米材料的制備方法，其特征在于，所述金屬化合物納米顆粒與所述苯胺-吡啶聚合物的質量比為1:0.2-0.5。
10.一種量子點發光二極管，其特征在于，包括功能層，所述功能層的材料為權利要求1-5任一所述的復合納米材料或通過權利要求5-9任一所述的制備方法制得的復合納米材料，
優選地，所述功能層為電子傳輸層或空穴傳輸層。
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