[發(fā)明專利]一種六層布線LCP封裝基板、制造方法及多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011038839.6
• 申請(qǐng)日: 2020-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN112349688B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐諾心;廖翱;戴廣乾;邊方勝;謝國(guó)平;潘玉華;蔣瑤珮;龔小林;李陽(yáng)陽(yáng);趙鳴霄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十九研究所
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L23/498;H01L23/552;H05K1/09;H01L21/48;H01L21/768
• 代理公司: 成都九鼎天元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51214
• 代理人: 徐靜

1.一種六層布線LCP封裝基板，其特征在于，包括：

從表面至底面分布的6層圖形化金屬線路層，依次為第一層圖形化金屬線路層、第二層圖形化金屬線路層、第三層圖形化金屬線路層、第四層圖形化金屬線路層、第五層圖形化金屬線路層和第六層圖形化金屬線路層；所述第一層圖形化金屬線路層的最外圍至少一條邊上，分布有所述LCP封裝基板對(duì)外二次級(jí)聯(lián)I/O焊接用焊盤或圖形；

位于相鄰圖形化金屬線路層之間的5層絕緣介質(zhì)層；位于第一層圖形化金屬線路層和第二層圖形化金屬線路層之間、第三層圖形化金屬線路層和第四層圖形化金屬線路層之間、以及第五層圖形化金屬線路層和第六層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質(zhì)層，由LCP基板構(gòu)成；位于第二層圖形化金屬線路層和第三層圖形化金屬線路層之間、以及第四層圖形化金屬線路層和第五層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質(zhì)層，由LCP粘接膜構(gòu)成；

位于第一層圖形化金屬線路層和第二層圖形化金屬線路層之間的絕緣介質(zhì)層中，且開口朝向所述第一層圖形化金屬線路層的多個(gè)盲槽；

位于圖形化金屬線路層與絕緣介質(zhì)層之間的多個(gè)盲孔；所述盲孔根據(jù)在6層圖形化金屬線路層中的位置分為五類：

第一類盲孔貫穿并連接第一層圖形化金屬線路層和第二層圖形化金屬線路層；

第二類盲孔貫穿并連接第一層圖形化金屬線路層至第三層圖形化金屬線路層；

第三類盲孔貫穿并連接第三層圖形化金屬線路層和第四層圖形化金屬線路層；

第四類盲孔貫穿并連接第四層圖形化金屬線路層至第六層圖形化金屬線路層；

第五類盲孔貫穿并連接第五層圖形化金屬線路層和第六層圖形化金屬線路層；

其中有若干第一類盲孔或第二類盲孔分布在所述對(duì)外二次級(jí)聯(lián)I/O焊接用焊盤或圖形上；

所述第一層圖形化金屬線路層包括在最外圍的對(duì)外二次級(jí)聯(lián)I/O焊接用焊盤或圖形，內(nèi)側(cè)的環(huán)繞金屬層，以及在環(huán)繞金屬層內(nèi)側(cè)的多組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸線路層，每組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸線路層的形狀為矩形或異形的孤島，且每組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸線路層經(jīng)一個(gè)電絕緣區(qū)域與環(huán)繞金屬層相接；該環(huán)繞金屬層的電學(xué)屬性為接地層、工藝屬性為氣密焊接層；所述第一層圖形化金屬線路層上表面依次設(shè)有涂覆層和上表面阻焊層；所述涂覆層覆蓋所述對(duì)外二次級(jí)聯(lián)I/O焊接用焊盤或圖形、環(huán)繞金屬層和每組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸線路層；所述上表面阻焊層包括第一環(huán)繞阻焊層和多個(gè)第二環(huán)繞阻焊層，其中，每個(gè)第二環(huán)繞阻焊層對(duì)應(yīng)圍繞每個(gè)電絕緣區(qū)域，所述第一環(huán)繞阻焊層圍繞所有第二環(huán)繞阻焊層；

每組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸線路層內(nèi)，包含芯片I/O焊盤及信號(hào)傳輸線路，以及一個(gè)或多個(gè)盲槽；每組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸用線路層內(nèi)信號(hào)的傳輸，通過(guò)該組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸用線路層內(nèi)的芯片I/O焊盤及信號(hào)傳輸線路，或者經(jīng)由各層盲孔及下層圖形化金屬線路層中對(duì)應(yīng)部分共同完成；兩組及以上芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸層之間，以及多組芯片I/O焊接及信號(hào)傳輸層與對(duì)外二次級(jí)聯(lián)I/O焊接用焊盤或圖形之間的信號(hào)傳輸，由各層盲孔及下層圖形化金屬線路層中對(duì)應(yīng)部分共同完成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCP封裝基板，其特征在于，所述LCP粘接膜的熔點(diǎn)比LCP基板的熔點(diǎn)低10～60℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCP封裝基板，其特征在于，所述盲槽底部為第二層圖形化金屬線路層中的大面積金屬接地層，并具有涂覆層；所述盲槽在第一層圖形化金屬線路層的開口周圍是芯片I/O焊盤或圖形；所述盲槽的數(shù)量和大小根據(jù)安裝芯片的數(shù)量和大小確定。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCP封裝基板，其特征在于，所有盲孔在垂直方向上對(duì)正或錯(cuò)排堆疊，用于實(shí)現(xiàn)6層圖形化金屬線路層中任意層互聯(lián)要求；每個(gè)盲孔的直徑相同，且盲孔深徑比≤1，盲孔內(nèi)填充實(shí)心電鍍銅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCP封裝基板，其特征在于，所述第六層圖形化金屬線路層的工藝屬性和電學(xué)屬性為大面積金屬地層。