[發(fā)明專利]半導體存儲器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011036910.7
• 申請日: 2020-09-27
• 公開（公告）號: CN112992902A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 孫龍勛;金哉勛;樸光浩;鄭承宰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種半導體存儲器件，包括：

堆疊結構，包括豎直堆疊在襯底上的多個層，其中，所述多個層中的每一個包括半導體圖案、在所述半導體圖案上沿第一方向延伸的柵電極以及電連接到所述半導體圖案的數(shù)據(jù)存儲元件；

多個豎直絕緣體，穿透所述堆疊結構，所述多個豎直絕緣體中的至少一個沿所述第一方向布置；以及

位線，在所述堆疊結構的一側(cè)上豎直延伸，

其中，所述位線將所述半導體圖案電連接，

所述多個豎直絕緣體中的每一個包括第一豎直絕緣體和與所述第一豎直絕緣體相鄰的第二豎直絕緣體，以及

所述柵電極包括在所述第一豎直絕緣體與所述第二豎直絕緣體之間的連接部分。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述多個豎直絕緣體將所述半導體圖案劃分成多個子圖案，以及

其中，所述子圖案沿所述第一方向布置。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體存儲器件，其中，所述多個豎直絕緣體中的每一個還包括：

延伸部，將所述第一豎直絕緣體和所述第二豎直絕緣體連接，

其中，彼此相鄰的所述子圖案通過所述第一豎直絕緣體、所述第二豎直絕緣體和所述延伸部沿所述第一方向彼此間隔開。

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述數(shù)據(jù)存儲元件包括：

第一電極，電連接到所述半導體圖案；

第二電極，在所述第一電極上；以及

電介質(zhì)層，在所述第一電極與所述第二電極之間。

5.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述柵電極包括：

第一柵電極，在所述半導體圖案的第一表面上；以及

第二柵電極，在所述半導體圖案的第二表面上，所述第二表面與所述第一表面相對。

6.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述柵電極在所述半導體圖案的頂表面、底表面、第一側(cè)壁和第二側(cè)壁上。

7.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述位線包括：

堆疊的水平部分，分別電連接到堆疊的半導體圖案；以及

豎直部分，將所述堆疊的水平部分連接并豎直延伸。

8.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第二豎直絕緣體沿所述第一方向相對于所述第一豎直絕緣體偏移。

9.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述第二豎直絕緣體沿第二方向與所述第一豎直絕緣體對齊，所述第二方向與所述第一方向相交。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述柵電極具有沿第二方向彼此相對的第一側(cè)壁和第二側(cè)壁，所述第二方向與所述第一方向相交，以及

其中，所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁中的每一個是彎曲的。

11.一種半導體存儲器件，包括：

堆疊結構，包括豎直堆疊在襯底上的多個層，其中，所述多個層中的每一個包括半導體圖案、在所述半導體圖案上沿第一方向延伸的柵電極以及電連接到所述半導體圖案的數(shù)據(jù)存儲元件；

豎直絕緣體，穿透所述堆疊結構，所述豎直絕緣體沿與所述第一方向相交的第二方向延伸；以及

位線，在所述堆疊結構的一側(cè)上豎直延伸，

其中，所述半導體圖案包括沿所述第一方向彼此間隔開的第一半導體子圖案和第二半導體子圖案，其中所述豎直絕緣體介于所述第一半導體子圖案和所述第二半導體子圖案之間，

所述豎直絕緣體包括第一豎直絕緣體和與所述第一豎直絕緣體相鄰的第二豎直絕緣體，

所述柵電極包括在所述第一豎直絕緣體與所述第二豎直絕緣體之間的連接部分，以及

所述第一半導體圖案上的所述柵電極通過所述連接部分連接到所述第二半導體圖案上的所述柵電極。