[發明專利]異質結太陽能電池及其制作方法在審
| 申請號: | 202011035116.0 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN114335226A | 公開(公告)日: | 2022-04-12 |
| 發明(設計)人: | 張美榮;姚錚;吳華德;張達奇;吳堅;蔣方丹 | 申請(專利權)人: | 嘉興阿特斯技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/072 | 分類號: | H01L31/072;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 宋啟超 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 異質結 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種異質結太陽能電池,包括硅襯底,依次層疊設置于所述硅襯底受光面的第一本征非晶層、第一摻雜層以及第一透明導電膜層,依次層疊設置于所述硅襯底背光面的第二本征非晶層、摻雜類型與所述第一摻雜層摻雜類型相反的第二摻雜層以及第二透明導電膜層;其特征在于,所述第一透明導電膜層的載流子濃度低于所述第二透明導電膜層的載流子濃度,所述第一透明導電膜的載流子遷移率高于所述第二透明導電膜層的載流子遷移率。
2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一透明導電膜層的載流子濃度為2E20-5E20/cm3,所述第二透明導電膜層的載流子濃度為3E20-6E20/cm3。
3.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一透明導電膜層的載流子遷移率為30-60cm2V-1s-1,所述第二透明導電膜層的載流子遷移率為20-50cm2V-1s-1。
4.根據權利要求1-3任意一項所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一透明導電膜層包括第一TCO膜以及設置于所述第一TCO膜一表面的第二TCO膜,所述第二TCO膜的載流子濃度大于所述第一TCO膜的載流子濃度,且所述第二TCO膜的厚度小于所述第一TCO膜的厚度。
5.根據權利要求4所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第一透明導電膜層還包括設置于所述第一TCO膜另一表面的第三TCO膜,所述第三TCO膜的載流子濃度大于所述第一TCO膜的載流子濃度,且所述第三TCO膜的厚度小于所述第一TCO膜的厚度。
6.根據權利要求1-3任意一項所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第二透明導電膜層包括第四TCO膜以及設置于所述第四TCO膜一表面的第五TCO膜,所述第五TCO膜的載流子濃度大于所述第四TCO膜的載流子濃度,且所述第五TCO膜的厚度小于所述第四TCO膜的厚度。
7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池,其特征在于,所述第二透明導電膜層還包括設置于所述第四TCO膜另一表面的第六TCO膜,所述第六TCO膜的載流子濃度大于所述第四TCO膜的載流子濃度,且所述第六TCO膜的厚度小于所述第四TCO膜的厚度。
8.一種異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,包括:
于硅襯底的受光面一側依次沉積第一本征非晶層、第一摻雜層;
于所述硅襯底的背光面依次沉積第二本征非晶層、摻雜類型與所述第一摻雜層摻雜類型相反的第二摻雜層;
于所述第一摻雜層和所述第二摻雜層的表面分別沉積第一透明導電膜層與第二透明導電膜層,并控制所述第一透明導電膜層的載流子濃度低于所述第二透明導電膜層的載流子濃度,且所述第一透明導電膜層的載流子遷移率高于所述第二透明導電膜層的載流子遷移率。
9.根據權利要求8所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,沉積所述第一透明導電膜層的靶材功率密度大于沉積所述第二透明導電膜層的靶材功率密度。
10.根據權利要求9所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,沉積所述第一透明導電膜層的靶材功率密度為1-2W/cm2,沉積所述第二透明導電膜層的靶材功率密度為0.8-1.8W/cm2。
11.根據權利要求9所述的異質結太陽能電池制作方法,其特征在于,所述第一透明導電膜層與所述第二透明導電膜層的沉積氣氛均包括氬氣與氧氣,所述第一透明導電膜層沉積氣氛中的氧氣流量比大于所述第二透明導電膜層沉積氣氛中的氧氣流量比。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





