[發(fā)明專利]基板處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011034094.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112635353A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔宇鎮(zhèn);樸永秀;柳守烈;孫侐主;樸商弼;吳俊昊;李民榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 系統(tǒng)科技公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置,用于處理基板,包括:
基板支撐銷,支撐所述基板的底面,并且形成有至少兩個(gè)基板安置部,以用于安置彼此不同的大小的基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,包括:
平臺(tái),為了加熱或者冷卻所述基板而配備;
多個(gè)腔室,為了處理所述基板而沿圓周方向以預(yù)定間隔布置;
轉(zhuǎn)盤,配備為為了在所述多個(gè)腔室之間移送所述基板而旋轉(zhuǎn),
其中,所述轉(zhuǎn)盤結(jié)合有所述基板支撐銷。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
多個(gè)所述基板支撐銷以沿所述平臺(tái)的外圍以預(yù)定間隔隔開(kāi)配置的方式結(jié)合于所述轉(zhuǎn)盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述基板支撐銷形成有安置第一基板的第一基板安置部、安置與所述第一基板大小不同的第二基板的第二基板安置部,
所述第一基板安置部和第二基板安置部形成為在沿所述基板的中心方向隔開(kāi)的位置具有階梯差。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一基板安置部和第二基板安置部的半徑方向外側(cè)分別形成有為了引導(dǎo)所述基板的邊緣位置而向外側(cè)方向向上傾斜的第一傾斜部和第二傾斜部。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述第一基板安置部與第二基板安置部之間形成有高度處于所述第一基板安置部與第二基板安置部之間的中間部。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述至少兩個(gè)基板安置部中位于所述基板的半徑方向外側(cè)的基板安置部在半徑方向外側(cè)形成有用于結(jié)合于所述轉(zhuǎn)盤的轉(zhuǎn)盤結(jié)合部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)盤結(jié)合部形成有用于利用緊固部件將所述基板支撐銷結(jié)合于所述轉(zhuǎn)盤的緊固孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)盤配備為能夠進(jìn)行升降,
所述轉(zhuǎn)盤的升降是在所述基板安置于所述基板支撐銷的狀態(tài)下進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)盤包括:
轉(zhuǎn)盤主體,借由轉(zhuǎn)盤驅(qū)動(dòng)部而旋轉(zhuǎn);
環(huán)形的轉(zhuǎn)盤環(huán),配備為在支撐并安置于多個(gè)開(kāi)口部中的每一個(gè)的邊緣位置的狀態(tài)下能夠從所述轉(zhuǎn)盤主體分離,所述多個(gè)開(kāi)口部貫通所述轉(zhuǎn)盤主體并以對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)腔室的數(shù)量形成,
其中,所述基板支撐銷結(jié)合于所述轉(zhuǎn)盤環(huán)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的基板處理裝置,其特征在于,
配備有提供用于沿上下方向升降所述平臺(tái)的驅(qū)動(dòng)力的平臺(tái)驅(qū)動(dòng)部,
在具有所述平臺(tái)的第一腔室的第一空間與設(shè)置于所述第一空間的下側(cè)而與所述多個(gè)腔室連通的第一腔室的第二空間在空間上相互隔離的狀態(tài)下執(zhí)行所述基板的裝載及卸載,而且如果所述平臺(tái)和轉(zhuǎn)盤環(huán)借由所述平臺(tái)驅(qū)動(dòng)部的驅(qū)動(dòng)而一起向上方向移動(dòng),則在所述轉(zhuǎn)盤環(huán)緊貼于配備在所述第一空間與第二空間的邊界的薄片部的狀態(tài)下執(zhí)行所述基板的裝載及卸載。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述轉(zhuǎn)盤環(huán)的上表面與所述薄片部之間配備有用于維持氣密的第一密封部件,
所述轉(zhuǎn)盤環(huán)的底面與所述平臺(tái)的邊緣位置部上表面之間配備有用于維持氣密的第二密封部件。
13.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置,其特征在于,
所述多個(gè)腔室包括:第一腔室,進(jìn)行所述基板的裝載和卸載;第二腔室、第三腔室、第四腔室,用于對(duì)裝載在所述第一腔室的基板加熱而進(jìn)行熱處理;第五腔室,冷卻在所述第四腔室中經(jīng)過(guò)熱處理的基板,
所述第五腔室的基板移送到所述第一腔室而被冷卻后卸載。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





