[發明專利]用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統及方法、手臂有效
| 申請號: | 202011029265.6 | 申請日: | 2020-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN111933565B | 公開(公告)日: | 2021-01-29 |
| 發明(設計)人: | 周亮 | 申請(專利權)人: | 北京京儀自動化裝備技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 馬瑞 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 傳送 機械手 吸附力 調節 系統 方法 手臂 | ||
1.一種用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,包括:N個壓力傳感器,N個晶圓接觸器,控制器,靜電發生控制器,靜電發生裝置,所述N為不小于3的正整數;
所述靜電發生裝置與所述靜電發生控制器的電壓輸出端連接,用于產生靜電荷以使晶圓產生感應電荷;
N個所述壓力傳感器分別與N個晶圓接觸器連接,用于當確定晶圓放置到所述晶圓接觸器上后,獲取所述晶圓的壓力值;
所述控制器與N個所述壓力傳感器的輸出端連接,用于根據所述壓力值與預設靜電控制電壓模型確定對應的當前目標電壓值,并利用當前目標電壓值驅動所述靜電發生控制器輸出當前實際電壓值以使所述靜電發生裝置產生對應的靜電荷,以與所述晶圓靜電感應產生吸附力;其中,所述預設靜電控制電壓模型設有壓力值與目標電壓值的對應關系;
所述控制器還用于當N個所述壓力傳感器對應的N個壓力值中的任一個與其他的壓力值的偏差超過閾值時發出晶圓放置錯誤告警。
2.根據權利要求1所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,所述預設靜電控制電壓模型為預設靜電控制電壓表;所述預設靜電控制電壓表設有壓力值范圍與對應的目標電壓值。
3.根據權利要求1所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,所述預設靜電控制電壓模型為壓力值與所述目標電壓值的函數關系式。
4.根據權利要求1所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,還包括電源;
所述靜電發生裝置包括正電荷端頭和電子端頭;
所述正電荷端頭和所述電子端頭均設于所述傳送機械手;
所述電源用于向所述正電荷端頭和所述電子端頭供電,以使所述正電荷端頭產生正電荷,所述電子端頭產生電子。
5.根據權利要求1所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,還包括:與所述控制器連接的報警模塊;
所述控制器還用于將獲取當前目標電壓值與當前實際電壓值,判斷當前目標電壓值與當前實際電壓值的差值是否超過預設閾值;若超過當前閾值則觸發所述報警模塊。
6.根據權利要求1所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,
所述控制器還用于將獲取當前目標電壓值與當前實際電壓值,判斷當前目標電壓值與當前實際電壓值的差值是否超過預設閾值;若沒有超過所述預設閾值,則利用當前目標電壓值與當前實際電壓值對所述預設靜電控制電壓模型進行修正,得到修正電壓模型。
7.根據權利要求6所述的用于傳送機械手的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,所述控制器具體用于,若當前目標電壓值小于所述當前實際電壓值,則將所述預設靜電控制電壓模型中的目標電壓值調小;若當前目標電壓值大于當前實際電壓值,則將所述預設靜電控制電壓模型中的目標電壓值調大。
8.一種傳送機械手,其特征在于,設有如權利要求1至7任一項所述的晶圓吸附力調節系統。
9.一種用于傳送機械手的晶圓吸附力調節方法,應用于如權利要求1至7任一項所述的晶圓吸附力調節系統,其特征在于,包括:
當確定晶圓放置到所述晶圓接觸器上后,獲取所述晶圓的壓力值;
根據所述壓力值與預設靜電控制電壓模型確定對應的當前目標電壓值;
利用當前目標電壓值驅動所述靜電發生控制器輸出當前實際電壓值以使所述靜電發生裝置產生對應的靜電荷,以與所述晶圓靜電感應產生吸附力;
當N個所述壓力傳感器對應的N個壓力值中的任一個與其他的壓力值的偏差超過閾值時發出晶圓放置錯誤告警;
其中,所述預設靜電控制電壓模型設有壓力值與目標電壓值的對應關系。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





