[發明專利]一種解決堿拋花籃產生花籃印的預處理工藝有效
| 申請號: | 202011028144.X | 申請日: | 2020-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN112271234B | 公開(公告)日: | 2022-08-19 |
| 發明(設計)人: | 周祥磊;趙東旭;李海波;李靜;陶龍忠;楊灼堅 | 申請(專利權)人: | 江蘇潤陽悅達光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;C09K13/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 224000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 解決 花籃 產生 預處理 工藝 | ||
1.一種解決堿拋新花籃產生花籃印的預處理工藝,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一,用酒精擦拭花籃底板和花籃桿;
步驟二,把擦拭好的花籃放進花籃清洗機泡槽內,泡槽里加剛好覆蓋花籃的水,再加入氫氧化鉀和制絨添加劑,鼓泡泡洗;添加氫氧化鉀為10L,制絨添加劑為5L;鼓泡泡洗4個小時,期間隔2個小時再添加一次制絨添加劑2L和氫氧化鉀2L;
步驟三,排掉泡槽藥液,加水溢流清洗,用PH試紙測試顯示中性后,用氣槍把花籃吹干;
步驟四,將花籃投放到制絨機中制絨做片至少六遍;
步驟五,從制絨機中取出花籃投放到堿拋槽中空跑一遍;
步驟六,從堿拋槽中取出花籃,晾干。
2.根據權利要求1所述的解決堿拋新花籃產生花籃印的預處理工藝,其特征在于,步驟三中加水溢流20分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





