[發(fā)明專利]MoO3 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011026510.8 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112164593B | 公開（公告）日： | 2022-01-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 聶廣明;李志遠;郭慶福;趙小倩 | 申請（專利權(quán)）人： | 青島科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01G11/24 | 分類號： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/46;H01G11/48;H01G11/86 |
| 代理公司： | 北京金碩果知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11259 | 代理人： | 李丹鳳 |
| 地址： | 266042 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | moo base sub | ||
1.MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，將氧化鉬(MoO3)作為基底，電聚合聚6-羧基吲哚(P6ICA)，形成MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料；
所述MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法包括以下步驟：
采用電沉積法制備MoO3基底將符合尺寸規(guī)格的FTO導(dǎo)電玻璃超聲清洗作為FTO電極，稱取四水合鉬酸銨[(NH4)Mo7O24·4H2O]于水中溶解，并作為電化學(xué)聚合液一；在一室三電極體系一中，F(xiàn)TO電極作為工作電極，采用恒電位聚合法，將[(NH4)Mo7O24·4H2O]電化學(xué)聚合液一在FTO上沉積，得到含有MoO3的FTO電極；
在MoO3基底上電聚合P6ICA配制含有6-羧基吲哚和四氟化硼四丁基銨(TBATFB)的乙腈溶液作為電化學(xué)聚合液二，在一室三電極體系二中，含有MoO3的FTO電極作為工作電極，采用恒電位聚合法，將含有6-羧基吲哚的電化學(xué)聚合液二在所述含有MoO3的FTO電極上沉積，得到MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料。
2.如權(quán)利要求1所述的MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，在所述采用電沉積法制備MoO3基底中，將符合尺寸規(guī)格的FTO導(dǎo)電玻璃，依次用乙醇、丙酮、超純水超聲10min清洗；稱取0.088g四水合鉬酸銨[(NH4)Mo7O24·4H2O]溶解于5ml水中，超聲5min至完全溶解得到電化學(xué)聚合液一。
3.如權(quán)利要求1所述的MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，在所述一室三電極體系一中，將Ag/AgCl作為參比電極，Pt電極作為對電極，工作電極為FTO電極。
4.如權(quán)利要求1所述的MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，在所述采用電沉積法制備MoO3基底中，恒電位聚合時，采用-1.5V、200s的條件下在FTO上沉積，電極沉積面積為1.26cm2，電極之間的間隔為0.5cm；所述含有MoO3的FTO電極用超純水沖洗2-3次，并在烘箱中50℃進行烘干。
5.如權(quán)利要求1所述的MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，在MoO3基底上電聚合P6ICA中，在所述電化學(xué)聚合液二制備中，配制含有0.05mol L-1 6-羧基吲哚和0.1mol L-1四氟化硼四丁基銨(TBATFB)的乙腈溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的MoO3/P6ICA復(fù)合電極材料的制備方法，其特征在于，在所述一室三電極體系二中，Ag/AgCl作為參比電極，Pt電極為對電極，工作電極為含有MoO3的FTO電極；在MoO3基底上電聚合P6ICA中，恒電位聚合時，在1.5V、20s的條件下聚合，保持聚合電極的面積為1.26cm2，電極之間的間隔0.5cm。
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