[發明專利]鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路

有效

• 申請號: 202011025266.3
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112234805B
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 袁遠東;劉金虎;鄒其峰;王曉飛;劉型志
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;西安交通大學;國網重慶市電力公司營銷服務中心;國網信息通信產業集團有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08;H02M3/335
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 肖冰濱;王曉曉

1.一種鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路，包括驅動芯片和增強型的碳化硅MOS管，所述驅動芯片內部集成驅動電路，其特征在于，所述驅動芯片還集成用于控制所述碳化硅MOS管的源極電壓的硅MOS管；

所述驅動芯片通過控制所述硅MOS管的導通和關斷來實現所述碳化硅MOS管的導通和關斷；

所述硅MOS管為NMOS管；

所述NMOS管的柵極輸入電壓信號，所述NMOS管的漏極通過所述驅動芯片的SOURCE端與所述碳化硅MOS管的源極連接，所述NMOS管的源極通過所述驅動芯片的CS端接地；

所述碳化硅MOS管的柵極與所述驅動芯片的GATE端連接；

所述驅動芯片的GATE端為所述碳化硅MOS管的柵極提供固定的鉗位電壓，以在所述NMOS管關斷時使得所述碳化硅MOS管的柵極與源極之間形成固定的負電壓差。

2.根據權利要求1所述的鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路，其特征在于，所述驅動芯片的GATE端通過鉗位二極管接地。

3.根據權利要求1所述的鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路，其特征在于，所述鉗位電壓為15V。

4.根據權利要求3所述的鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路，其特征在于，所述NMOS管的柵極輸入的電壓信號為0V～5V的方波。

5.根據權利要求4所述的鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路，其特征在于，在所述NMOS管關斷時，所述碳化硅MOS管的柵極與源極的電壓差為-5V。

6.一種ACDC反激式轉換器，其特征在于，包括權利要求1-5中任意一項所述的鉗位源級驅動碳化硅半導體場效應管的電路。