[發明專利]CMOS圖像傳感器的制作方法有效
| 申請號： | 202011024012.X | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN111952328B | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發明（設計）人： | 梅翠玉;王明;徐炯 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 圖像傳感器 制作方法 | ||
1.一種CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底，所述半導體基底中設置有隔離區以及由所述隔離區限定出的光電二極管形成區，所述半導體基底表面覆蓋有墊氧化層；
在所述半導體基底上形成硬掩膜層，所述硬掩膜層覆蓋所述墊氧化層表面；
在所述硬掩膜層上形成圖形化的光阻層，所述光阻層露出部分位于所述隔離區上的硬掩膜層；
利用所述光阻層作為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層，直至露出所述墊氧化層的上表面；
以所述硬掩膜層為掩膜，執行離子注入工藝，在所述隔離區形成離子注入區；
在所述半導體基底上形成保護層，所述保護層填充所述硬掩膜層之間的間隙并覆蓋所述硬掩膜層；
執行干法刻蝕工藝，去除部分厚度的所述保護層和所述硬掩膜層；以及
去除剩余的所述保護層。
2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氮化硅層。
3.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括在所述半導體基底表面由下至上依次疊加的氮化硅層和氧化硅層。
4.如權利要求3所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，利用所述光阻層作為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層的步驟包括：
執行高深寬比刻蝕工藝，形成貫穿所述氧化硅層的開口，所述開口內保留一定厚度的所述氮化硅層；以及
執行濕法刻蝕工藝，去除所述開口內剩余的所述氮化硅層。
5.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層的厚度為3000埃～5000埃。
6.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述光阻層為光刻膠層，或者，所述光阻層包括由下至上依次疊加的先進圖形膜層、抗反射層和光刻膠層。
7.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，執行干法刻蝕工藝后，所述硬掩膜層的剩余厚度小于1000埃。
8.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，所述保護層為光刻膠層，所述保護層的上表面高于所述硬掩膜層的上表面。
9.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器的制作方法，其特征在于，在所述干法刻蝕工藝后，還包括：
執行濕法刻蝕，去除剩余的所述硬掩膜層和所述墊氧化層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
