[發(fā)明專利]高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011022259.8
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112563089A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊爾瑪·瓦萊里亞諾·桑托斯;G·托德·迪特希
• 申請（專利權(quán)）人: 力特保險絲公司
• 主分類號: H01H85/17
• 分類號: H01H85/17;H01H85/175;H01H85/38
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 譚營營;胡彬

1.一種高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，包括：

以堆疊布置設(shè)置的底部絕緣層、第一中間絕緣層、第二中間絕緣層和頂部絕緣層；以及

可熔元件，其設(shè)置在所述第一中間絕緣層與所述第二中間絕緣層之間并且在導(dǎo)電的第一端子與第二端子之間延伸，所述第一端子和所述第二端子位于所述底部絕緣層、所述第一中間絕緣層、所述第二中間絕緣層和所述頂部絕緣層的相對的縱向端部處；

其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層由多孔陶瓷形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述可熔元件是以下項之一：沉積在襯底上的導(dǎo)電芯、線、帶、金屬鏈、螺旋纏繞線、膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率大于所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大25％。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大50％。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大75％。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大100％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，其中，所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層由FR-4、玻璃和陶瓷之一形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器，所述底部絕緣層、所述第一中間絕緣層、所述第二中間絕緣層和所述頂部絕緣層利用導(dǎo)電絕緣粘合劑彼此平坦地接合。

10.一種形成高分?jǐn)嗄芰Φ馁N片熔斷器的方法，包括：

提供以堆疊布置設(shè)置的底部絕緣層、第一中間絕緣層、第二中間絕緣層和頂部絕緣層；以及

在所述第一中間絕緣層與所述第二中間絕緣層之間設(shè)置可熔元件，所述可熔元件在導(dǎo)電的第一端子與第二端子之間延伸，所述第一端子和所述第二端子位于所述底部絕緣層、所述第一中間絕緣層、所述第二中間絕緣層和所述頂部絕緣層的相對的縱向端部處；

其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層由多孔陶瓷形成。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述可熔元件是以下項之一：沉積在襯底上的導(dǎo)電芯、線、帶、金屬鏈、螺旋纏繞線、膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率大于所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大25％。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大50％。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一中間絕緣層和所述第二中間絕緣層的孔隙率比所述底部絕緣層和所述頂部絕緣層的孔隙率至少大75％。