[發(fā)明專利]陣列基板、顯示面板、顯示裝置和制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011019932.2
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112151555A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉寧;張大成;許程;馬丹陽;倪柳松;劉軍
• 申請（專利權(quán)）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 金俊姬

本公開實施例提供了一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置和制作方法。所述陣列基板包括：襯底基板；有源層，位于所述襯底基板的一側(cè)，所述有源層包括：溝道區(qū)，位于所述溝道區(qū)一側(cè)的導(dǎo)體化源區(qū)，以及位于所述溝道區(qū)另一側(cè)的導(dǎo)體化漏區(qū)；金屬層，位于所述有源層的背離所述襯底基板的一側(cè)，所述金屬層包括同層設(shè)置的柵極和信號線，所述柵極在垂直于所述襯底基板的厚度小于所述信號線在垂直于所述襯底基板的厚度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置和制作方法。

背景技術(shù)

頂柵型薄膜晶體管具有短溝道的特點，所以其開態(tài)電流Ion得以有效提升，因而可以顯著提升顯示效果并且能有效降低功耗。而且頂柵型薄膜晶體管的柵極與源漏極重疊面積小，因而產(chǎn)生的寄生電容較小，所以發(fā)生不良的可能性也降低。由于頂柵型薄膜晶體管具有上述顯著優(yōu)點，所以越來越受到人們的關(guān)注。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供一種陣列基板，其中，包括：

襯底基板；

有源層，位于所述襯底基板的一側(cè)，所述有源層包括：溝道區(qū)，位于所述溝道區(qū)一側(cè)的導(dǎo)體化源區(qū)，以及位于所述溝道區(qū)另一側(cè)的導(dǎo)體化漏區(qū)；

金屬層，位于所述有源層的背離所述襯底基板的一側(cè)，所述金屬層包括同層設(shè)置的柵極和信號線，所述柵極在垂直于所述襯底基板的厚度小于所述信號線在垂直于所述襯底基板的厚度。

在一種可能的實施方式中，所述陣列基板還包括：

柵極絕緣層，位于所述有源層與所述金屬層之間，所述柵極絕緣層包括：第一絕緣部和第二絕緣部，所述第一絕緣部包括與所述柵極重合的第一重合部，以及由所述第一重合部延伸出的第一外延部，所述第二絕緣部包括與所述信號線重合的第二重合部，以及由所述第二重合部延伸出的第二外延部，所述第一外延部在第一方向上的長度大于所述第二外延部在垂直于所述信號線延伸方向上的長度，所述第一方向為所述導(dǎo)體化源區(qū)、所述導(dǎo)體化漏區(qū)中的一者指向另一者的方向。

在一種可能的實施方式中，所述金屬層包括疊層設(shè)置的第一金屬層和所述第二金屬層，所述第二金屬層位于所述第一金屬層的背離所述柵極絕緣層的一側(cè)；

在垂直于所述襯底基板的方向上，所述柵極的厚度與所述第二金屬層的厚度相同，所述信號線的厚度與所述第一金屬層和所述第二金屬層的厚度之和相同。

在一種可能的實施方式中，在垂直于所述襯底基板的方向上，所述第一金屬層的厚度小于所述第二金屬層的厚度。

在一種可能的實施方式中，所述第一外延部在第一方向上的長度，與所述第二外延部在垂直于所述信號線延伸方向上的長度差值為0.1微米～1微米。

在一種可能的實施方式中，所述信號線包括以下之一或組合：

柵線；

電源線；

觸控引線。

在一種可能的實施方式中，所述陣列基板還包括：位于所述襯底基板與所述有源層之間的緩沖層，位于所述緩沖層與所述襯底基板之間的遮光層，其中，所述遮光層在所述襯底基板的正投影覆蓋所述有源層在所述襯底基板的正投影。

在一種可能的實施方式中，所述陣列基板還包括位于所述金屬層的背離所述柵極絕緣層一側(cè)的層間介質(zhì)層，以及位于所述層間介質(zhì)層的背離所述金屬層一側(cè)的源漏極層，所述源漏極層包括源極和漏極；

所述漏極通過貫穿所述層間介質(zhì)層的第一通孔與所述導(dǎo)體化漏區(qū)導(dǎo)通，所述源極通過貫穿所述層間介質(zhì)層的第二通孔與所述導(dǎo)體化源極導(dǎo)通，并通過貫穿所述層間介質(zhì)層、所述緩沖層的第三通孔與所述遮光層導(dǎo)通。

在一種可能的實施方式中，所述陣列基板還包括位于所述源漏極層的背離所述層間介質(zhì)層一側(cè)的鈍化層。