[發明專利]一種孔處理方法和半導體器件在審
| 申請號： | 202011018902.X | 申請日： | 2020-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN114256141A | 公開（公告）日： | 2022-03-29 |
| 發明（設計）人： | 李春雨;胡艷鵬;盧一泓 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京知迪知識產權代理有限公司 11628 | 代理人： | 王勝利 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 處理 方法 半導體器件 | ||
1.一種孔處理方法，其特征在于，
提供一襯底；
對所述襯底進行刻蝕，獲得孔結構；所述孔結構的頂部寬底部窄；
對所述孔結構進行處理，所述孔處理方法包括至少一個處理周期，每個所述處理周期包括：
濕法刻蝕階段，所述濕法刻蝕階段包括：在濕法刻蝕劑蒸發的情況下，利用濕法刻蝕工藝對所述孔結構的側壁進行刻蝕，以縮小所述孔結構的底部寬度與頂部寬度的差異；
以及位于所述濕法刻蝕階段后的成膜階段，所述成膜階段包括：采用原子層沉積工藝在所述孔結構的側壁形成氧化膜。
2.根據權利要求1所述的孔處理方法，其特征在于，所述濕法刻蝕劑包括氧化層刻蝕緩沖液和/或氫氟酸。
3.根據權利要求1所述的孔處理方法，其特征在于，所述在濕法刻蝕劑蒸發的情況下，利用濕法刻蝕工藝對所述孔結構的側壁進行刻蝕，包括：
利用濕法刻蝕劑以旋轉襯底刻蝕的方式對所述孔結構的側壁進行刻蝕。
4.根據權利要求3所述的孔處理方法，其特征在于，所述旋轉襯底刻蝕的旋轉速率大于0RPM，且小于100RPM。
5.根據權利要求1所述的孔處理方法，其特征在于，所述在濕法刻蝕劑蒸發的情況下，利用濕法刻蝕工藝對所述孔結構的側壁進行刻蝕，包括：
在靜止所述襯底的情況下，利用濕法刻蝕劑對所述孔結構的側壁進行刻蝕。
6.根據權利要求1所述的孔處理方法，其特征在于，所述氧化膜的材料與所述襯底的材料相同。
7.根據權利要求6所述的孔處理方法，其特征在于，所述氧化膜和所述襯底均為SiO2或Al2O3；和/或，
所述氧化膜厚度為0.5nm～18nm。
8.根據權利要求1所述的孔處理方法，其特征在于，所述濕法刻蝕階段的工作溫度為21℃～29℃。
9.根據權利要求1～8任一項所述的孔處理方法，其特征在于，所述處理周期的數量小于或等于10。
10.一種半導體器件，其特征在于，包括：利用權利要求1～9中任一項所述的孔處理方法形成的孔結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
