[發(fā)明專利]一種減少光刻膠中毒的工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011014995.9 | 申請日： | 2020-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN112201570A | 公開（公告）日： | 2021-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 魏想 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減少 光刻 中毒 工藝 方法 | ||
1.一種減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于，該工藝方法至少包括以下步驟：
步驟一、提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積摻氮碳化硅薄膜；
步驟二、對所述摻氮碳化硅薄膜進行硅烷等離子體處理，并且所述硅烷等離子體處理的壓力為1-3torr；通入的氦流量為1000-10000sccm；通入的硅烷流量100-1000sccm；
所述硅烷等離子體處理的環(huán)境溫度為350-400℃；
步驟三、對所述摻氮碳化硅薄膜進行氧氣等離子體處理，并且所述氧氣等離子體處理的壓力為1-3torr；通入的氦流量為1000-10000sccm；通入的氧氣流量為100-1000sccm；所述氧氣等離子體處理的環(huán)境溫度為350-400℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中在所述半導(dǎo)體襯底上沉積所述摻氮碳化硅薄膜作為刻蝕阻擋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底上的介電層，貫通所述介電層的金屬線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上沉積所述摻氮碳化硅薄膜作為刻蝕阻擋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中至少包括介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟一中在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述介電層上沉積所述摻氮碳化硅薄膜作為硬掩膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟二中對所述摻氮碳化硅薄膜進行硅烷等離子體處理采用的高頻射頻為100-1000瓦特。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟二中對所述摻氮碳化硅薄膜進行硅烷等離子體處理采用的低頻射頻為100-1000瓦特。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟二中對所述摻氮碳化硅薄膜進行硅烷等離子體處理的時間為1-20秒。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟三中對所述摻氮碳化硅薄膜進行氧氣等離子體處理采用的高頻射頻為100-1000瓦特。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少光刻膠中毒的工藝方法，其特征在于：步驟三中對所述摻氮碳化硅薄膜進行氧氣等離子體的處理時間為1-20秒。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
