[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202011008040.2
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112630629A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 孫在翼;邊大錫;任琫淳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G01R31/317
• 分類號: G01R31/317;H01L23/544
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種半導體器件包括第一半導體芯片、第二半導體芯片、感測線和檢測電路。第一半導體芯片包括位線、字線、電連接到位線的第一接合墊、電連接到字線的第二接合墊、以及電連接到位線和字線的存儲單元。第二半導體芯片包括電連接到第一接合墊的第三接合墊、電連接到第二接合墊的第四接合墊以及輸入/輸出電路。輸入/輸出電路經由第三接合墊和第四接合墊將數據寫到存儲單元。感測線沿著第一半導體芯片和第二半導體芯片中的至少一個的邊緣部分延伸。檢測電路在第二半導體芯片中，并且可以使用感測線檢測來自第一半導體芯片和第二半導體芯片中的至少一個的缺陷。

技術領域

本公開涉及半導體器件。

背景技術

在制造半導體器件的工藝中(具體地，在切割和加熱工藝期間)產生的應力可以在半導體芯片中引起裂紋。

已經提出了各種方法來檢測半導體芯片中的這種缺陷，方法之一是在每個半導體芯片的邊緣部分中布置感測線并使用該感測線來檢測任何缺陷。

然而，隨著半導體器件的結構變得復雜和多樣化，在每個半導體芯片中提供這樣的缺陷感測元件可能使半導體器件的制造復雜化并且可能增加半導體器件的尺寸。因此，可能需要缺陷感測元件的有效布置。

發明內容

本公開的實施方式提供一種能夠在保持針對半導體芯片中的任何缺陷的缺陷感測功能的同時簡化半導體芯片的制造的半導體器件。

本公開的實施方式還提供一種能夠保持具有不同厚度的半導體芯片的缺陷感測功能的半導體器件。然而，本公開的實施方式不限于在這里闡述的那些。通過參考下面給出的本公開的詳細描述，本公開的以上和其它實施方式對于本公開所屬領域的普通技術人員將變得更加明顯。

根據本公開的一方面，一種半導體器件包括第一半導體芯片、第二半導體芯片、感測線和檢測電路。第一半導體芯片包括位線、字線、第一接合墊、第二接合墊和存儲單元。存儲單元電連接到位線和字線。第一接合墊電連接到位線。第二接合墊電連接到字線。第二半導體芯片包括第三接合墊、第四接合墊和輸入/輸出電路。第三接合墊電連接到第一接合墊。第四接合墊電連接到第二接合墊。輸入/輸出電路被配置為經由第三接合墊和第四接合墊將數據寫到存儲單元。感測線沿著第一半導體芯片的邊緣部分、第二半導體芯片的邊緣部分、或第一半導體芯片的邊緣部分和第二半導體芯片的邊緣部分兩者延伸。檢測電路在第二半導體芯片中。檢測電路被配置為使用感測線檢測來自第一半導體芯片、第二半導體芯片、或第一半導體芯片和第二半導體芯片兩者的缺陷。

根據本公開的另一方面，一種半導體器件包括：第一半導體芯片，包括沿著第一半導體芯片的邊緣部分以圍繞第一半導體芯片的第一感測線；第二半導體芯片，包括沿著第二半導體芯片的邊緣部分以圍繞第二半導體芯片的第二感測線；以及檢測電路，配置為使用第一感測線檢測來自第一半導體芯片的缺陷以及配置為使用第二感測線檢測來自第二半導體芯片的缺陷。檢測電路在第二半導體芯片中，但是檢測電路不在第一半導體芯片中。

根據本公開的另一方面，一種半導體器件包括：第一半導體芯片；在第一半導體芯片下面的第二半導體芯片；感測線，沿著第一半導體芯片的邊緣部分、第二半導體芯片的邊緣部分、或第一半導體芯片的邊緣部分和第二半導體芯片的邊緣部分兩者延伸；以及檢測電路，電連接到感測線并且在第二半導體芯片中。檢測電路被配置為使用感測線檢測來自第一半導體芯片、第二半導體芯片、或第一半導體芯片和第二半導體芯片兩者的缺陷。從第一半導體芯片的第一基板的頂表面到第一半導體芯片的底表面的第一高度不同于從第二半導體芯片的第二基板的底表面到第二半導體芯片的頂表面的第二高度。

從以下詳細描述、附圖和權利要求，其它特征和實施方式可以是明顯的。

附圖說明

通過參考附圖詳細描述本公開的實施方式，本公開的以上和其它實施方式和特征將變得更加明顯，在附圖中：

圖1是根據本公開的一些實施方式的半導體器件的分解透視圖；