[發(fā)明專利]一種晶圓的檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011004871.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112117219A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 霍建忠;朱萬(wàn)杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州思達(dá)優(yōu)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市蘇州*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測(cè) 裝置 及其 方法 | ||
本發(fā)明涉及了晶圓生產(chǎn)加工領(lǐng)域,具體的是一種晶圓的檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法,其中墨滴調(diào)整單元包括基盤、噴墨回收結(jié)構(gòu)和噴墨單元切換機(jī)構(gòu),基盤用于承載噴墨單元噴射的墨滴,噴墨回收結(jié)構(gòu)用于對(duì)基盤上的墨滴進(jìn)行回收,噴墨單元切換機(jī)構(gòu)用于切換不同的噴墨單元,以對(duì)晶圓進(jìn)行連續(xù)性檢測(cè),避免了現(xiàn)有技術(shù)需要將基盤單獨(dú)取下來(lái)進(jìn)行清洗的缺陷,減少操作步驟,提高運(yùn)行效率。本發(fā)明的有益效果在于:能夠在噴墨單元噴墨異常時(shí)及時(shí)對(duì)噴墨單元進(jìn)行切換,對(duì)噴墨單元進(jìn)行調(diào)整時(shí)無(wú)需停止對(duì)晶圓的檢測(cè),提高晶圓檢測(cè)和標(biāo)記的連續(xù)性和可靠性;另外,噴墨回收結(jié)構(gòu)能夠?qū)P上的墨滴進(jìn)行快速清理,從而方便對(duì)噴墨單元的噴墨效果進(jìn)行調(diào)整。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及了晶圓生產(chǎn)加工領(lǐng)域,具體的是一種晶圓的檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體工藝中,隨著晶圓尺寸的增大及元器件尺寸的縮小,一片晶圓可依需要?jiǎng)澐譃閿?shù)千個(gè)相同或不同的晶粒。由于工藝設(shè)計(jì)、制造及材料本身的特性,最終完成的晶圓通常含有部分缺陷晶粒。因此,在半導(dǎo)體制作工藝的后端工藝中,通常還會(huì)利用測(cè)試機(jī)臺(tái)來(lái)測(cè)試晶圓上的每一個(gè)晶粒,以確保出廠的每一個(gè)晶粒的電氣特性與效能符合設(shè)計(jì)規(guī)格。在測(cè)試的過程中,如果發(fā)現(xiàn)缺陷晶粒則需要標(biāo)記。
現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記的方法主要有三種,包括用墨水噴涂在缺陷晶粒上、用電子槍或激光使缺陷晶粒產(chǎn)生刻痕、或用計(jì)算機(jī)記錄整片晶圓上正常晶粒及缺陷晶粒的位置從而獲得晶圓缺陷圖表。利用電子槍或激光生成的標(biāo)記不容易有肉眼直接判斷,只能依靠機(jī)器來(lái)辨別,應(yīng)用范圍較窄,成本較高。而利用計(jì)算機(jī)記錄整片晶圓上正常晶粒及缺陷晶粒的位置時(shí),由于不同晶圓具有不同的晶圓缺陷圖表,計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的晶圓缺陷圖表可能無(wú)法準(zhǔn)確地對(duì)應(yīng)于實(shí)際晶圓,且計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的晶圓缺陷圖表可能遺失或損壞(因計(jì)算機(jī)操作不當(dāng)或人為疏忽)。因此,雖然利用墨水噴涂在缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記的方法已使用了較長(zhǎng)的時(shí)間,但仍有很多半導(dǎo)體廠商利用墨水噴涂在缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記。
但是由于晶粒的尺寸很小,噴涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸也很小,測(cè)試機(jī)臺(tái)中較細(xì)的噴墨口不容易控制墨滴的大小,且即使是同一瓶的墨-水中墨水的粘稠度也會(huì)有差異,通入噴墨頭的墨水中可能還存在氣泡,可能使得某段時(shí)間噴墨頭噴出的墨滴的尺寸過大或過小,當(dāng)墨滴過小時(shí),測(cè)試機(jī)臺(tái)和肉眼都不容易分辨缺陷晶粒,當(dāng)墨滴過大時(shí),墨水會(huì)覆蓋在缺陷晶粒周圍的正常晶粒的表面,使得所述正常晶粒報(bào)廢。
在現(xiàn)有技術(shù)中,當(dāng)測(cè)試員發(fā)現(xiàn)噴涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸過大或過小時(shí),只能停止晶圓測(cè)試工藝,將正在檢測(cè)的晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)中取出,并在測(cè)試機(jī)臺(tái)中放置一塊報(bào)廢的晶圓,讓測(cè)試機(jī)臺(tái)在報(bào)廢的晶圓上進(jìn)行噴墨,直到噴出的墨滴尺寸恢復(fù)正常,符合一定的規(guī)格后,再將報(bào)廢的晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)中取出,將正在檢測(cè)的晶圓重新放入測(cè)試機(jī)臺(tái)繼續(xù)檢測(cè)。但利用所述方法不僅需要人工操作,且晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)拿進(jìn)拿出會(huì)使得墨滴大小調(diào)整的時(shí)間變長(zhǎng),從而使得整個(gè)晶圓的測(cè)試時(shí)間變長(zhǎng)。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷,本發(fā)明提供了一種晶圓的檢測(cè)裝置及其檢測(cè)方法,能夠快速在晶圓的缺陷部分滴上墨滴,在噴墨單元出現(xiàn)問題時(shí)快速進(jìn)行切換,提高檢測(cè)的連續(xù)性和可靠性。
本申請(qǐng)實(shí)施例公開了:一種晶圓的檢測(cè)裝置,用于對(duì)放置在載物臺(tái)上的晶圓進(jìn)行檢測(cè)和標(biāo)記,包括:
晶圓檢測(cè)單元,用于檢測(cè)晶圓中的缺陷晶粒;
噴墨單元,根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴;
墨滴調(diào)整單元,用于調(diào)整噴墨單元噴涂出的墨滴的尺寸,當(dāng)噴涂在缺陷晶粒表面的墨滴尺寸不符合規(guī)格時(shí),將噴墨單元在所述墨滴調(diào)整單元上噴涂墨滴,直到噴涂在所述墨滴調(diào)整單元表面的墨滴的尺寸調(diào)整到符合規(guī)格時(shí),再將噴墨單元移回晶圓的上方或?qū)⒕A移回噴墨單元的下方,使噴墨單元重新根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴;
墨滴檢測(cè)單元,用于檢測(cè)墨滴調(diào)整單元表面墨滴的尺寸是否符合規(guī)格;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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