[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011002525.0
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112635297A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 今野泰一郎;木村健司;藤倉序章
• 申請（專利權(quán)）人: 賽奧科思有限公司;住友化學(xué)株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的制造方法。提供能夠?qū)崿F(xiàn)形變小、適于制造紫外LED的AlN模板的技術(shù)。一種氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，其至少具有：藍(lán)寶石基板、在藍(lán)寶石基板的主面上形成的第一AlN層、以及在第一AlN層上形成的第二AlN層，第二AlN層的a軸方向的形變量ε₂的絕對值小于第一AlN層的a軸方向的形變量ε₁的絕對值。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)、氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件及氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)

紫外LED將包含大量Al的氮化物半導(dǎo)體層層疊而形成。作為紫外LED的基底，例如可使用在藍(lán)寶石基板上使作為緩沖層的AlN層進行外延生長而得的AlN模板。例如，專利文獻1提出了在藍(lán)寶石基板上形成有含Al的氮化物膜的外延基板。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2004-142953號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

本發(fā)明的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)形變小、適于制造紫外LED的AlN模板的技術(shù)。

用于解決問題的方案

根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，其至少具有：

藍(lán)寶石基板、

在前述藍(lán)寶石基板的主面上形成的第一AlN層、以及

在前述第一AlN層上形成的第二AlN層，

前述第二AlN層的a軸方向的形變量ε₂的絕對值小于前述第一AlN層的a軸方向的形變量ε₁的絕對值。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方案，提供一種氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)，其具有：

藍(lán)寶石基板、以及

在前述藍(lán)寶石基板的主面上形成的AlN層，

構(gòu)成前述AlN層表面的AlN的a軸方向的形變量為-0.15％以上且0.1％以下。

根據(jù)本發(fā)明的再一個方案，提供一種氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法具有如下工序：

準(zhǔn)備藍(lán)寶石基板的工序，

在前述藍(lán)寶石基板的主面上形成第一AlN層的工序，

在包含氫氣且實質(zhì)上不含氨的氣氛下對前述第一AlN層的表面進行熱處理的工序，以及

在前述第一AlN層上形成第二AlN層的工序，

前述第二AlN層的a軸方向的形變量ε₂的絕對值小于前述第一AlN層的a軸方向的形變量ε₁的絕對值。

根據(jù)本發(fā)明的再一個方案，提供一種氮化物半導(dǎo)體層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，該方法具有如下工序：

準(zhǔn)備藍(lán)寶石基板的工序，

在前述藍(lán)寶石基板的主面上形成AlN層的工序，

在包含氫氣且實質(zhì)上不含氨的氣氛下對前述AlN層的表面進行熱處理的工序，以及

在前述AlN層上使AlN進行再生長的工序，

前述使AlN進行再生長的工序后的、構(gòu)成前述AlN層表面的AlN的a軸方向的形變量為-0.15％以上且0.1％以下。