[發明專利]一種用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置及共晶方法

有效

• 申請號: 202011000132.6
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN112289695B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 羅建強;張平升;代忠;文俊凌;伍藝龍;王輝;季興橋
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十九研究所
• 主分類號: H01L21/603
• 分類號: H01L21/603;H01L21/50
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 賈年龍

1.一種用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置，其特征在于，包括方形上組合體與下盤，所述下盤表面陣列分布有多個L型斷開結構，用于自動微組裝設備的識別和焊件的陣列擺放，以及四角分布設有定位孔，每個L型斷開結構包圍有通孔，用于固定焊件；所述上組合體包括上盤、中盤、定位銷釘及多個焊件定位結構，上盤與中盤重疊固定設置，定位銷釘設置在中盤下表面四角與下盤定位孔對應；所述多個焊件定位結構陣列設置于中盤下表面與L型斷開結構對應。

2.根據權利要求1所述的用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置，其特征在于，所述焊件定位結構包括多個陣列設置定位柱與彈簧組合結構，定位柱一端與彈簧連接固定于中盤內部，另一端外露，用于定位和固定焊件。

3.根據權利要求2所述的用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置，其特征在于，所述上組合體還包括多個高頭螺釘，所述高頭螺釘螺帽向下，穿過中盤與上盤設置；高頭螺釘分布設置在上組合體的四條邊上，用于調節施加到焊件上的壓力。

4.根據權利要求3所述的用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置，其特征在于，所述下盤背面設有開槽，用于與自動微組裝設備操作臺面固定。

5.根據權利要求4所述的用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置，其特征在于，所述下盤采用石墨制成。

6.一種采用權利要求1-5任一所述用于多焊件自動共晶的通用共晶裝置的共晶方法，其特征在于，包括：

步驟1、在通用共晶裝置的下盤上對金屬熱沉進行陣列擺放；

步驟2、在共晶裝置下盤上的陣列金屬熱沉上點涂金鍺焊膏；

步驟3、在金屬熱沉上進行電路基板貼片；

步驟4、將上組合體定位銷釘插入下盤的定位孔固定，再進行自動共晶焊接和清洗；

步驟5、取下上組合體，在下盤上的陣列電路基板和/或金屬熱沉上點涂金錫焊膏；

步驟6、在陣列電路基板和/或金屬熱沉上進行芯片貼片；

步驟7、再次將上組合體與下盤固定，進行自動共晶焊接和清洗；

步驟8、取下上組合體得到共晶構件。

7.根據權利要求6所述的共晶方法，其特征在于，所述步驟4中，自動共晶焊接溫度為420℃±10℃。

8.根據權利要求7所述的共晶方法，其特征在于，所述步驟7中，自動共晶焊接溫度為350℃±10℃。

9.根據權利要求6所述的共晶方法，其特征在于，所述步驟4、7中清洗溶劑為異丙醇。

10.根據權利要求6所述的共晶方法，其特征在于，所述金屬熱沉、電路基板、芯片的表面鍍層均為金鍍層。