[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010987405.4 | 申請日: | 2020-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN112530997A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金兌勛;郭源奎 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本公開涉及一種顯示裝置,所述顯示裝置可以包括:基底、像素、第一公共電壓線、外部公共電壓干線、第一外部公共電壓線以及第二外部公共電壓線。所述基底可以包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。所述像素可以設置在所述顯示區(qū)域上。所述第一公共電壓線可以至少部分地設置在所述顯示區(qū)域上。所述外部公共電壓干線可以設置在所述非顯示區(qū)域上,可以通過所述第一公共電壓線電連接到所述像素,并且可以包括凹槽。所述第一外部公共電壓線可以從所述外部公共電壓干線突出。所述第二外部公共電壓線可以從所述外部公共電壓干線突出。所述凹槽可以設置在所述第二外部公共電壓線和所述第一公共電壓線之間。
本申請要求于2019年9月18日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0114735號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益;該韓國專利申請的所有內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
技術(shù)領(lǐng)域涉及顯示裝置。
背景技術(shù)
顯示裝置可以顯示圖像?,F(xiàn)在的顯示裝置可以包括發(fā)光二極管顯示裝置。
發(fā)光二極管顯示裝置不需要單獨的光源,并且因此,可以具有最小化的厚度和重量。發(fā)光二極管顯示裝置的優(yōu)點還可以包括低功耗、高亮度和/或高響應速度。
一般來說,發(fā)光二極管顯示裝置包括:基底;薄膜晶體管,設置在基底上;絕緣層,設置在連接到薄膜晶體管的布線之間;以及發(fā)光元件,分別連接到薄膜晶體管。例如,發(fā)光元件可以是有機發(fā)光元件。
顯示裝置可以包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。隨著使非顯示區(qū)域最小化,在非顯示區(qū)域中流動的電流的密度可能會顯著地高。因此,在非顯示區(qū)域中可能產(chǎn)生很多熱量。
本背景技術(shù)部分用于理解實施例的背景。本背景技術(shù)部分可以包含未構(gòu)成在本國中對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
實施例可以涉及其中防止或減輕非顯示區(qū)域中的布線的不期望的發(fā)熱的顯示裝置。
根據(jù)實施例的顯示裝置包括以下元件:基底,包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域;外部公共電壓線,設置在非顯示區(qū)域中;第一公共電壓線,連接到設置在顯示區(qū)域中的多個像素以及外部公共電壓線的一端,其中,外部公共電壓線的另一端被分支為第一外部公共電壓線和第二外部公共線電壓線,并且包括設置在第二外部公共電壓線和第一公共電壓線之間的凹槽。
第一外部公共電壓線、第二外部公共電壓線和第一公共電壓線可以設置為平行于第二方向,并且凹槽可以設置為平行于與第二方向垂直的第一方向。
在第一公共電壓線中,連接到第一外部公共電壓線的第一公共電壓線的數(shù)量可以大于連接到第二外部公共電壓線的第一公共電壓線的數(shù)量。
顯示裝置還可以包括設置在外部公共電壓線和顯示區(qū)域之間且設置為平行于第二方向的外部初始化電壓線。
外部公共電壓線可以包括彼此面對的第一端和第二端,第一端和第二端可以設置在顯示區(qū)域的同一側(cè),顯示裝置還可以包括設置在第一端和第二端之間的外部驅(qū)動電壓線,并且外部驅(qū)動電壓線和設置在顯示區(qū)域中的每個像素可以通過驅(qū)動電壓線連接。
外部公共電壓線可以設置為圍繞顯示區(qū)域的四側(cè)。
多個像素中的一部分像素可以與第一公共電壓線重疊,并且連接到第一公共電壓線的一部分像素可以不與驅(qū)動電壓線重疊。
顯示裝置還可以包括連接到第一公共電壓線且與第一公共電壓線交叉的第二公共電壓線。
第一公共電壓線可以設置在多個像素之間,并且可以設置為平行于連接到多個像素中的每個像素的驅(qū)動電壓線。
顯示裝置還可以包括連接到第一公共電壓線且與第一公共電壓線交叉的第二公共電壓線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





