[發明專利]用于改進對光發射的檢測的結構化基底及涉及其的方法在審
| 申請號: | 202010977928.0 | 申請日: | 2016-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN112229834A | 公開(公告)日: | 2021-01-15 |
| 發明(設計)人: | M.S.鮑恩;袁大軍 | 申請(專利權)人: | 億明達股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/76 | 分類號: | G01N21/76;G01N21/64;G01N21/05;B81C1/00;B82Y15/00;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G03F7/00;C12Q1/6816;C12Q1/6818;C12Q1/6869;C12Q1/6874 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳曦 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 改進 對光 發射 檢測 結構 基底 涉及 方法 | ||
1.一種制造結構化基底的方法,所述方法包括:
提供具有側表面和反應腔陣列的工作基底,每一個所述反應腔具有沿著所述側表面的開口,并且從相應的開口延伸一深度至所述工作基底中,所述反應腔與一陣列平面相重合;以及
將沉積流以相對于所述陣列平面非正交的角度引導至所述工作基底上,所述沉積流包括等離子體共振材料,其中,所述工作基底在每一個反應腔中相對于所述沉積流的路徑形成陰影區域和入射區域,使得所述沉積流的等離子體共振材料受所述側表面的阻擋而不會沉積到所述陰影區域上,并且被允許穿過所述開口并且沿著所述入射區域形成。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述反應腔由相應的側壁和底部表面限定,所述側壁遠離所述側表面朝向相應的底部表面延伸,所述入射區域沿著所述側壁的至少一部分延伸,所述陰影區域沿著所述底部表面的至少一部分延伸。
3.如權利要求1所述的方法,還包括形成用于分析生物分子的結構化基底,其包括所述工作基底,沿著所述入射區域沉積的材料形成放大電磁能量的納米結構的至少一部分。
4.如權利要求1所述的方法,其中,所述非正交的角度是第一非正交角度,所述陰影區域是第一陰影區域,所述沉積流是第一沉積流,并且,所述入射區域是第一入射區域,所述方法還包括將第二沉積流以相對于所述陣列平面的第二非正交角度引導至所述工作基底上,所述第二非正交角度不同于所述第一非正交角度,所述工作基底相對于所述沉積流的路徑在每一個反應腔中形成第二陰影區域和第二入射區域,使得所述第二沉積流的等離子體共振材料受所述側表面的阻擋而不會沉積到所述第二陰影區域上,并且被允許穿過所述開口并且沿著所述第二入射區域形成。
5.如權利要求4所述的方法,其中,所述第二入射區域的至少一部分與所述第一陰影區域重疊。
6.如權利要求4所述的方法,其中,所述第一和第二沉積流的等離子體共振材料是相同的。
7.權利要求4所述的方法,其中,所述第一和第二沉積流的等離子體共振材料是不同的。
8.如權利要求1所述的方法,還包括:
將所述工作基底定位在相對于材料源的接收取向中。
9.如權利要求8所述的方法,還包括,以不同的接收取向,重復以下步驟至少一個序列:提供所述工作基底,定位所述工作基底,以及引導所述沉積流。
10.如權利要求8所述的方法,還包括,利用不同等離子體共振材料,重復以下步驟至少一個序列:提供所述工作基底,定位所述工作基底,以及引導所述沉積流。
11.如權利要求8所述的方法,其中重復以下步驟:提供所述工作基底,定位所述工作基底,以及引導所述沉積流,以在所述接收腔中的每一個以內形成具有多個納米結構的集成放大器。
12.一種分析能夠產生光發射的生物分子的方法,所述方法包括:
提供具有反應位點陣列的結構化基底,每一個反應位點包括多個納米結構,所述納米結構形成集成放大器,所述集成放大器被配置為放大通過所述集成放大器的納米結構入射的電磁能量,其中,所述反應位點陣列包括第一反應位點子陣列和第二反應位點子陣列,所述第一子陣列的集成放大器被配置為優先地響應于第一偏振激發光,所述第二子陣列的集成放大器被配置為優先地響應于第二偏振激發光;并且其中所述結構化基底包括形成所述反應位點的反應腔,所述反應腔以一深度延伸到所述結構化基底中,每一個反應腔具有在其中的相應的集成放大器;
利用所述第一偏振激發光照射所述反應位點陣列;
檢測來自所述第一子陣列的光發射;
利用所述第二偏振激發光照射所述反應位點陣列;以及
檢測來自所述第二子陣列的光發射。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于億明達股份有限公司,未經億明達股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010977928.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





