[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010972815.1 | 申請日： | 2020-09-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114267814A | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 郭煜林;吳龍佳;張?zhí)焖?/a>;李俊杰 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L51/56 | 分類號(hào)： | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 劉芙蓉;孫果 |
| 地址： | 516000 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括步驟：
采用溶液法在陽極上形成PVDF摻雜的PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層上形成量子點(diǎn)發(fā)光層；
在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成陰極，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；
或者，在陰極上形成量子點(diǎn)發(fā)光層；
采用溶液法在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成PVDF摻雜的PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層；
在所述空穴傳輸層上形成陽極，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述采用溶液法在陽極上形成PVDF摻雜的PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層的步驟，包括：在陽極上形成PEDOT:PSS薄膜，將含PVDF的混合溶液沉積在所述PEDOT:PSS薄膜上，退火處理得到所述空穴傳輸層；
或者，所述采用溶液法在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成PVDF摻雜的PEDOT:PSS薄膜作為空穴傳輸層的步驟，包括：在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成PEDOT:PSS薄膜，將含PVDF的混合溶液沉積在所述PEDOT:PSS薄膜上，退火處理得到所述空穴傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述混合溶液中還含多元醇。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS、PVDF和多元醇的用量摩爾比為1:(0.05～0.3):(0.01～0.1)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，所述多元醇選自山梨醇、甘露醇、二丙二醇、季戊四醇、木糖醇、赤蘚糖醇中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，所述混合溶液由PVDF、多元醇和溶劑組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS、PVDF和多元醇的用量摩爾比為1:(0.05～0.3):(0.01～0.1)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，所述多元醇選自山梨醇、甘露醇、二丙二醇、季戊四醇、木糖醇、赤蘚糖醇中的一種或多種。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述退火處理的溫度為90-200℃；和/或，所述退火處理的時(shí)間為15-120分鐘。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，所述在所述空穴傳輸層上形成量子點(diǎn)發(fā)光層之后，在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成陰極之前，還包括步驟：在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上形成電子傳輸層，在所述電子傳輸層上形成所述陰極；
或者，所述在陰極上形成量子點(diǎn)發(fā)光層之前，還包括步驟：在所述陰極上形成電子傳輸層，在所述電子傳輸層上形成所述量子點(diǎn)發(fā)光層。
11.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述陽極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層由PEDOT:PSS及摻雜于所述PEDOT:PSS中的PVDF組成。
12.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述陽極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的空穴傳輸層，其特征在于，所述空穴傳輸層包括PEDOT:PSS及摻雜于所述PEDOT:PSS中的PVDF和多元醇。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的量子點(diǎn)發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴傳輸層由PEDOT:PSS、PVDF和多元醇組成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TCL科技集團(tuán)股份有限公司，未經(jīng)TCL科技集團(tuán)股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010972815.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
