[發明專利]一種鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法在審
| 申請號: | 202010956491.2 | 申請日: | 2020-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112133837A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 畢恩兵;陳漢;邵冒磊 | 申請(專利權)人: | 上海黎元新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/48 | 分類號: | H01L51/48;H01L51/42;C30B7/14;C30B29/12 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 郎祺 |
| 地址: | 201400 上海市奉賢*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 晶體 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、制備碘化鉛薄膜;
S2、將含甲脒氫碘酸鹽的混合物溶于有機溶劑中,摻入去離子水,混合均勻后滴加到經步驟S1制得的所述薄膜表面,靜置一段時間后進行涂覆,并在惰性氣氛下進行退火處理,制得鈣鈦礦晶體薄膜。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S1中,所述碘化鉛薄膜中還添加有PbBr2、PbCl2、Pb(SCN)2、Pb(CH3COO)2、CsI和CsCl中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述混合物還包括甲脒氫氯酸鹽FACl、甲脒氫溴酸鹽FABr、甲脒硫氰酸鹽FASCN、甲胺氫氯酸鹽MACl、甲胺氫溴酸鹽MABr、甲胺氫碘酸鹽MAI和甲胺硫氰酸鹽MASCN中的一種或幾種。
4.根據權利要求3所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述混合物由甲脒氫碘酸鹽FAI、甲胺氫氯酸鹽MACl、甲胺氫溴酸鹽MABr按照80:8:8的質量比混合而成。
5.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述有機溶劑為異丙醇、甲苯、氯苯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、異丁醇、對二甲苯、二乙醚、丁醇、丙醇和氯仿中的一種或幾種。
6.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述去離子水的摻入量占所述含甲脒氫碘酸鹽的溶液總體積的比為0.01-10%。
7.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述退火處理的具體過程為:在100-170℃溫度條件下熱處理10-120分鐘。
8.根據權利要求1所述的鈣鈦礦晶體薄膜的制備方法,其特征在于,S2中,所述鈣鈦礦晶體薄膜的材料為FAPbI3、FAPbI1-xClx、FAPbIxClyBrz、CsxFA(1-x)PbI3、CsxFA(1-x)Pb(IyCl1-y)3、CsxFA(1-x)Pb(IxClyBrz)3、MAxFA(1-x)PbI3、MAxFA(1-x)PbI3、MAxFA(1-x)Pb(IyCl1-y)3、MAxFA(1-x)Pb(IxClyBrz)3、CsxMAyFAzPbI3、CsxMAyFAzPb(InCl1-n)3和CsxMAyFAzPb(InClgBrh)3中的一種。
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