[發(fā)明專利]一種晶圓鍵合方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010955641.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112053939B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-01-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張凇銘;劉效巖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京華卓精科科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/18 | 分類號(hào): | H01L21/18 |
| 代理公司: | 北京頭頭知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11729 | 代理人: | 白芳仿 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)科創(chuàng)*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶圓鍵合 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種晶圓鍵合方法,包括:提供第一晶圓和第二晶圓;采用脈沖偏壓等離子體對(duì)所述第一晶圓的第一表面和第二晶圓的第二表面進(jìn)行激活處理,使所述第一表面與所述第二表面形成Si懸掛鍵;對(duì)激活處理后的所述第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行親水處理,以在所述第一表面和第二表面形成硅羥基鍵;對(duì)親水處理后的所述第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行貼合,完成所述第一晶圓和第二晶圓的預(yù)鍵合;對(duì)預(yù)鍵合后的第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行退火,完成鍵合。該方法能夠在不損傷晶圓的情況下進(jìn)行貼合,使得退火后的鍵合晶圓具有較高的鍵合能,同時(shí)提高器件的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶圓鍵合方法,屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
晶圓直接鍵合是半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一項(xiàng)新興技術(shù),可以使得經(jīng)過(guò)拋光的半導(dǎo)體晶圓在不使用粘結(jié)劑的情況下結(jié)合在一起。晶圓與晶圓之間的直接鍵合,是利用兩片晶圓表面的原子鍵合力,經(jīng)過(guò)處理使兩片晶圓表面原子反應(yīng)產(chǎn)生共價(jià)鍵合,并實(shí)現(xiàn)一定的連接強(qiáng)度。
通常使用等離子體對(duì)晶圓表面進(jìn)行轟擊,使其表面產(chǎn)生物理化學(xué)雙重反應(yīng),使晶圓表面污染物變成粒子或氣體狀態(tài),經(jīng)過(guò)真空抽離而排出,從而達(dá)到對(duì)表面的清洗和活化目的;同時(shí)會(huì)引起表面產(chǎn)生高度不規(guī)則的多孔結(jié)構(gòu),提高鍵合界面水分子的擴(kuò)散,使表面形成羥基,羥基鍵數(shù)量越多,在后續(xù)的退火工藝完成后晶圓的鍵合力越高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓鍵合方法,通過(guò)脈沖偏壓等離子體對(duì)晶圓進(jìn)行激活處理,提高晶圓表面活化程度,從而提高鍵合晶圓的鍵合力越高。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種晶圓鍵合方法,包括:
提供第一晶圓和第二晶圓;
采用脈沖偏壓等離子體對(duì)所述第一晶圓的第一表面和第二晶圓的第二表面進(jìn)行激活處理,使所述第一表面與所述第二表面形成Si懸掛鍵;
對(duì)激活處理后的所述第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行親水處理,以在所述第一表面和第二表面形成硅羥基鍵;
對(duì)親水處理后的所述第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行貼合,完成所述第一晶圓和第二晶圓的預(yù)鍵合;
對(duì)預(yù)鍵合后的第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行退火處理,完成鍵合。
優(yōu)選地,形成所述脈沖偏壓等離子體時(shí)的脈沖偏壓為300~12000V。
形成所述脈沖偏壓等離子體時(shí)的放電功率為10~450W。
形成所述脈沖偏壓等離子體的氣體為氮?dú)狻⒀鯕夂蜌鍤庵械囊环N或多種。
所述親水處理的試劑為質(zhì)量比為(1:1:5)~(1:1:50)的氨水、雙氧水和水的混合液,或去離子水。
所述親水處理的試劑流量為0.5~2L/min。
所述親水處理的溫度為23℃~65℃。
所述退火處理的退火溫度為100~200℃,退火時(shí)間為1~2小時(shí)。
優(yōu)選地,所述退火處理在常壓下進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明的方法通過(guò)施加脈沖偏壓等離子體活化步驟與親水處理步驟相結(jié)合,提高晶圓表面的反應(yīng)活性,從而提高鍵合質(zhì)量。
附圖說(shuō)明
參考隨附的附圖,本發(fā)明更多的目的、功能和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)本發(fā)明實(shí)施方式的如下描述得以闡明,其中:
圖1示意性示出了根據(jù)本發(fā)明的晶圓鍵合方法的工藝流程圖;
圖2示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例1的晶圓鍵合方法的工藝流程圖;
圖3示意性示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的晶圓鍵合方法的工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
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