[發明專利]一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具

在審

• 申請號: 202010955452.0
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112083313A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 殷嵐勇;李亞鵬
• 申請（專利權）人: 蘇州韜盛電子科技有限公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28;G01R1/04
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 范登峰

本發明公開了一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具，包括定位框和下補強鋼件，所述定位框的上端卡接有手測蓋，所述手測蓋上端安裝有風扇，所述手測蓋底部設有上導電銅塊，所述定位框內部的型腔內設有下導電銅塊，所述上導電銅塊和下導電銅塊之間設有裸die芯片，所述定位框的兩側設有氣管接頭，所述定位框和下補強鋼件之間固定有上補強鋼件，所述上補強鋼件的上端設有PCB板。本發明定位框采用浮動式設計，避免了裸die芯片不平衡，手測蓋下壓時壓裂裸die芯片；通過上導電銅塊和下導電銅塊的設置，直接接觸裸die芯片的C極和E極來通過大電流測試，同時也能滿足高溫和高壓要求。

技術領域

本發明涉及芯片測試治具技術領域，具體為一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具。

背景技術

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域。

未封裝的裸die芯片超薄(厚度低于100um)，測試需要超大電流(400A以上持續2ms，1000A以上瞬時電流)，超大電壓(600V以上)，量產之前需要手動測試，簡單驗證芯片的部分電性能。

在測試時，交流電流從C極，經過G極的電子開關，變為直流電從E極流出，從而達到工作電流，使后續設備啟動。測試注意事項：芯片超薄，測試時高溫高壓大電流。

由于芯片超薄，傳統pogo pin單個pin力量太大15g，芯片定位不好或者沒放平容易造成芯片損傷，采用wire probe(單pin力量3g)，單獨pin持續電流太小，需要放置大量的線針分攤電流，成本極高。

為此，我們推出一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具。

發明內容

本發明的目的在于提供一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種超薄裸die IGBT芯片的測試治具，包括定位框和下補強鋼件，所述定位框的上端卡接有手測蓋，所述手測蓋上端安裝有風扇，所述手測蓋底部設有上導電銅塊，所述定位框內部的型腔內設有下導電銅塊，所述上導電銅塊和下導電銅塊之間設有裸die芯片，所述定位框的兩側設有氣管接頭，所述定位框和下補強鋼件之間固定有上補強鋼件，所述上補強鋼件的上端設有PCB板。

作為本技術方案的進一步優化，所述手測蓋的兩側活動連接有卡扣座，所述卡扣座卡結于定位框兩側的卡槽。

作為本技術方案的進一步優化，所述手測蓋內部設有位于風扇下方的散熱塊。

作為本技術方案的進一步優化，兩組所述氣管接頭一進一出通入熱氮氣，用于將型腔內空氣擠排干凈。

作為本技術方案的進一步優化，所述定位框下端的定位銷貫穿PCB板后插入至上補強鋼件內，所述下補強鋼件上端的定位塊插入至上補強鋼件內。

作為本技術方案的進一步優化，所述定位框、上補強鋼件和下補強鋼件之間通過pogo pin定位針進行定位連接。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明定位框采用浮動式設計，避免了裸die芯片不平衡，手測蓋下壓時壓裂裸die芯片；下導電銅塊和PCB板的接觸之間，通過上導電銅塊和下導電銅塊的設置，直接接觸裸die芯片的C極和E極來通過大電流測試，同時也能滿足高溫和高壓要求；摒棄了傳統的FR4鍍金pad設計，采用整片銅片來走大電流設計；定位框增加兩個氣管接頭，一進一出，通入熱氮氣，將型腔內空氣擠排干凈，防止裸die芯片打火。

附圖說明

圖1為本發明分解結構示意圖；

圖2為本發明側剖結構示意圖。