[發明專利]一種高效的電能發火引爆方法有效
| 申請號: | 202010952702.5 | 申請日: | 2020-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN112066827B | 公開(公告)日: | 2023-03-28 |
| 發明(設計)人: | 銀慶宇;冉龍露 | 申請(專利權)人: | 貴州全安密靈科技有限公司 |
| 主分類號: | F42C19/12 | 分類號: | F42C19/12;F42D1/045;F42D1/05;F42B3/10 |
| 代理公司: | 貴陽中新專利商標事務所 52100 | 代理人: | 李亮 |
| 地址: | 550025 貴州省貴陽市貴安*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 電能 發火 引爆 方法 | ||
1.一種高效的電能發火引爆方法,包括儲能電容C1、控制芯片MCU、開關Q1、爆炸箔JP1;
其特征在于,所述的爆炸箔JP1設置有三個引腳,分別是引腳A、引腳B及引腳C,發火電阻D接在任意兩個引腳之間;
所述的儲能電容C1的負極接地、電容C1的正極與爆炸箔JP1的引腳A連接,引腳C接地,在開關Q1與控制芯片MCU連接,控制芯片MCU控制開關Q1的開合,從而實現電容C1和發火電阻D的導通,電容C1放電,發火電阻D熔融汽化得到等離子蒸汽;
當開關Q1接入在爆炸箔JP1與電容C1的正極之間時,爆炸箔JP1的引腳A與電容C1的正極相連,發火電阻D熔融汽化得到等離子蒸汽將電容C1和爆炸箔JP1的引腳B導通;
當開關Q1的一端接地,另一端與爆炸箔JP1的引腳B連接時,爆炸箔JP1的引腳C與地相連,發火電阻D熔融汽化得到等離子蒸汽將電容C1與爆炸箔JP1的引腳B導通;
儲能電容C1第一次放電到發火電阻D,導致發火電阻D熔融并汽化形成等離子流具有導電性;且電容C1在第一次放電后,能量還未釋放完,利用電離子流的導電性將電容C1和爆炸箔JP1的新增引腳之間導通,對等離子流進一步賦能加速,形成更強的沖擊波,外加高溫等離子體的作用,迅速將炸藥引爆產生轟爆。
2.如權利要求1所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的開關Q1,為晶體管、可控硅、MOS管中的任何一種。
3.如權利要求1所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,發火電阻D為金屬箔或者半導體電阻。
4.一種如權利要求1-3任意一項所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的爆炸箔JP1為圓柱狀絕緣板(80),在圓柱狀的端面上鋪設有導電層(70),將導電層(70)分割出A區域(10),B區域(20),C區域(30),A區域(10),B區域(20),C區域(30)三個區域上分別設置有導線與爆炸箔JP1連接的引腳A(11)、引腳B(21)和引腳C(31),其中A區域(10)和B區域(20)之間的分隔槽靠近圓心的一端通過發火電阻D(40)導通。
5.如權利要求4所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的A區域(10),B區域(20),C區域(30)上分別設置的導線連接引腳A(11)、引腳B(21)和引腳C(31)為圓孔,且圓孔的內壁鋪設有導電層。
6.如權利要求4所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的導電層(70)為鎳鉻合金(71)。
7.如權利要求6所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的導電層(70),在鎳鉻合金(71)上附著導電性能優于鎳鉻合金(71)的金屬層(72)。
8.如權利要求7所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的金屬層(72)上有鍍金層(73)。
9.如權利要求4所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的發火電阻D(40)為鎳鉻合金(71)。
10.如權利要求9所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的發火電阻D(40)為鎳鉻合金(71),在鎳鉻合金表面有鍍金層(73)。
11.如權利要求4所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,在A區域(10)和C區域(30)上分別設置有導電座A(12)和導電座C(32),絕緣層(50)將導電座A(12)和導電座C(32)罩住,形成密閉空間(60),發火電阻D(40)被包裹于密閉空間(60)內。
12.如權利要求11所述的高效的電能發火引爆方法,其特征在于,所述的密閉空間(60)起寬度與發火電阻D(40)寬度一致。
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