[發明專利]一種降低LBO晶體體吸收的晶體生長方法及其制備的晶體

有效

• 申請號: 202010950232.9
• 申請日: 2020-09-11
• 公開（公告）號: CN112126980B
• 公開（公告）日: 2021-10-15
• 發明（設計）人: 王昌運;陳偉;張星;陳秋華
• 申請（專利權）人: 福建福晶科技股份有限公司
• 主分類號: C30B29/22
• 分類號: C30B29/22;C30B17/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種降低LBO晶體體吸收的晶體生長方法，其特征在于：

采用硼酸和碳酸鋰為原料，所述硼酸為助熔劑，采用束腰形鉑金坩堝和鉑籽晶桿為生長裝置，

其中，所述鉑籽晶桿上具有多片平行的鉑片，所述鉑片在鉑桿方向上彼此平行，所述束腰形鉑金坩堝為中間小，兩端大，上下左右呈軸對稱結構，所述鉑籽晶桿放置在所述束腰形鉑金坩堝的中部。

2.根據權利要求1所述的晶體生長方法，其特征在于：

所述鉑片相對于所述鉑籽晶桿傾斜向上。

3.根據權利要求1或2所述的晶體生長方法，其特征在于：

所述鉑片相對于所述鉑籽晶桿傾斜角度為30~60°。

4.根據權利要求3所述的晶體生長方法，其特征在于：所述鉑片相對于所述鉑籽晶桿傾斜角度為45°。

5.根據權利要求3所述的晶體生長方法，其特征在于：

所述鉑桿直徑5mm，鉑片厚度0.2~1.0mm，長度5~10mm，寬度為2~5mm。

6.根據權利要求3所述的晶體生長方法，其特征在于：

多片所述鉑片焊接在所述鉑籽晶桿中。

7.根據權利要求3所述的晶體生長方法，其特征在于：

多片所述鉑片焊接在所述鉑籽晶桿中，所述鉑片布滿在整根所述鉑籽晶桿。

8.根據權利要求3所述的晶體生長方法，其特征在于：

所述鉑籽晶桿中心線和坩堝中心線重合。

9.根據權利要求4-8中任意一項所述的晶體生長方法，其特征在于：

晶體生長的方法具體為：

首先將硼酸和碳酸鋰按照一定比例稱好，放置pvc瓶子內，利用甩料機混勻，混勻時間不低于10h，將混勻的原料用燒結爐融化倒入生長用的束腰形鉑金坩堝，將所述束腰形鉑金坩堝置于密封爐殼內，升溫到800~850℃，攪拌5天，取出攪拌槳，恒溫24h，緩慢降至結晶溫度，準備加工好的籽晶，固定在所述的鉑籽晶桿上面，緩慢深入熔體，至剛接觸液面，開啟籽晶旋轉，轉速30r/min，然后0.1℃/d降溫，至生長結束，取出晶體。

10.一種LBO晶體，其特征在于：

所述晶體根據權利要求1-9中任意一項所述的降低LBO晶體體吸收的晶體生長方法制備而成。