[發(fā)明專利]一種溝槽MOSFET的制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010948833.6
• 申請日: 2020-09-10
• 公開（公告）號: CN112053957A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 潘光燃;胡瞳騰
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市芯電元科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423
• 代理公司: 深圳市中融創(chuàng)智專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44589
• 代理人: 葉垚平;李立

1.一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述制作方法如下：

步驟一：在襯底(1)的上表面生長外延層(2)；

步驟二：在外延層(2)之中形成溝槽(4)；

步驟三：采用高溫氧化的工藝方法在溝槽(4)的表面生長柵氧化層(5)，然后淀積多晶硅(6)；

步驟四：去除掉溝槽(4)之外的多晶硅(6)，然后在外延層(2)的表層之中注入硼原子(11)，以及對預(yù)設(shè)區(qū)域的外延層(2)的表層之中注入砷原子或(和)銻原子(12)；

步驟五：高溫退火形成P型擴(kuò)散區(qū)(8)和N型擴(kuò)散區(qū)(9)，且N型擴(kuò)散區(qū)(9)位于P型擴(kuò)散區(qū)(8)的表層之中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：高溫退火形成P型擴(kuò)散區(qū)(8)和N型擴(kuò)散區(qū)(9)，具體如下：

高溫退火的的工藝溫度為900-1000攝氏度，工藝時間為10-50分鐘；

所述硼原子(11)經(jīng)高溫退火之后形成P型擴(kuò)散區(qū)(8)，且P型擴(kuò)散區(qū)(8)的深度小于溝槽(4)的深度；

所述砷原子或(和)銻原子(12)經(jīng)高溫退火之后形成N型擴(kuò)散區(qū)(9)，且N型擴(kuò)散區(qū)(9)的深度為P型擴(kuò)散區(qū)(8)的深度的1/6至1/3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：在外延層(2)的表層之中注入硼原子(11)，以及對預(yù)設(shè)區(qū)域的外延層(2)的表層之中注入砷原子或(和)銻原子(12)，具體如下：

在外延層(2)的表層之中注入硼原子(11)，然后采用光刻、離子注入的工藝方法對預(yù)設(shè)區(qū)域的外延層(2)的表層之中注入砷原子或(和)銻原子(12)；或采用光刻、離子注入的工藝方法對預(yù)設(shè)區(qū)域的外延層(2)的表層之中注入砷原子或(和)銻原子(12)，然后在外延層(2)的表層之中注入硼原子(11)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：采用高溫氧化的工藝方法在溝槽(4)的表面生長柵氧化層(5)，高溫氧化的工藝溫度為850-1150攝氏度，工藝時間為10-100分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：采用高溫氧化的工藝方法在溝槽(4)的表面生長柵氧化層(5)之前，采用高溫氧化的工藝方法在溝槽(4)的表面生長犧牲氧化層，高溫氧化的工藝溫度為850-1150攝氏度，工藝時間為10-100分鐘，然后采用濕法腐蝕的工藝方法去除犧牲氧化層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽MOSFET的制作方法，其特征在于：所述溝槽(4)的底部槽角為圓弧過渡設(shè)計。