[發明專利]一株深淵鹽生單胞菌13199及其CRISPR-Cas系統和應用有效
| 申請號: | 202010947118.0 | 申請日: | 2020-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN112159772B | 公開(公告)日: | 2022-06-03 |
| 發明(設計)人: | 張道鋒;崔希雯;張愛華;黃建科;薛華朋 | 申請(專利權)人: | 河海大學 |
| 主分類號: | C12N1/20 | 分類號: | C12N1/20;C12N9/22;C02F3/34;B09C1/10;C12R1/01;C02F101/20 |
| 代理公司: | 無錫蘇元專利代理事務所(普通合伙) 32471 | 代理人: | 王清偉 |
| 地址: | 210000*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 深淵 鹽生單胞菌 13199 及其 crispr cas 系統 應用 | ||
1.一株深淵鹽生單胞菌13199,其保藏編號為CGMCC 1.17396,分類命名是:Salinimonas profundi;保藏時間:2020年6月03日;保藏地址:北京市朝陽區北辰西路1號院3號,中國科學院微生物研究所;保藏單位:中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心。
2.如權利要求1所述的深淵鹽生單胞菌13199,其特征在于,該菌株為革蘭氏陰性球菌,無芽孢,無鞭毛,不具有運動性,在固體培養基上培養24h后可觀察到圓形、米白色、表面光滑、直徑為1-2mm的菌落,菌落粘稠,邊緣整齊。
3.如權利要求1所述的深淵鹽生單胞菌13199,其特征在于,該菌株為好氧菌,生長溫度范圍為4~37℃,在0.5~18%海鹽濃度的環境中生長,在pH 5.0~10.0的環境中生長。
4.如權利要求3所述的深淵鹽生單胞菌13199,其特征在于,該菌株為好氧菌,生長溫度范圍為28~30℃,在2~7%海鹽濃度的環境中生長,在pH 7.0~9.0的環境中生長。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于河海大學,未經河海大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010947118.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種銅線生產線及其制造工藝
- 下一篇:一種負載催化劑的聚乙烯醇渦環衍生粒子





