[發(fā)明專利]電阻及其封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010945888.1
• 申請(qǐng)日: 2020-09-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112038025B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊寶平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市開(kāi)步電子有限公司
• 主分類號(hào): H01C3/00
• 分類號(hào): H01C3/00;H01C1/01;H01C1/02;H01C1/14;H01C17/02
• 代理公司: 深圳市鼎智專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44411
• 代理人: 曹勇

本發(fā)明提供一種電阻，所述電阻包括電阻帶、絕緣基板、封裝外殼以及導(dǎo)電體，所述封裝外殼的底面凹陷成型有凹槽，所述絕緣基板與所述電阻帶一起收容并嵌設(shè)在所述封裝外殼的凹槽中，所述絕緣基板位于所述電阻帶的下表面，所述絕緣基板兩側(cè)分別形成有貫通所述絕緣基板頂面和所述絕緣基板底面的貫通孔，所述導(dǎo)電體包括填充在所述貫通孔內(nèi)的導(dǎo)線層以及與所述導(dǎo)線層電連接的電極層，所述導(dǎo)線層與所述電阻帶電連接。本發(fā)明制備得到的電阻性能更優(yōu)異、體積更小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電阻器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及電阻及其封裝方法。

背景技術(shù)

除非特定指出，否則本部分中描述的內(nèi)容并不是本申請(qǐng)中的現(xiàn)有技術(shù)，并且并不因?yàn)楸话ㄔ诒静糠种芯捅怀姓J(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。

如圖1所示，常規(guī)的合金電阻采用的是電子束焊技術(shù)焊接制得，具體為，將一條電阻帶10與兩條紫銅帶20通過(guò)特制的夾具并排拼接在一起，利用兩束高能電子束同時(shí)轟擊電阻帶10與紫銅帶20的拼接處，產(chǎn)生的高熱將使得電阻帶10與紫銅帶20熔融在一起，冷卻后得到焊接帶材沖壓成條狀半成品，條狀半成品中間的電阻帶10以及連接在電阻帶10兩端的紫銅帶20，紫銅帶20作為電極，最后采用塑封機(jī)對(duì)條狀半成品進(jìn)行模壓塑封，保護(hù)介質(zhì)填充于電阻帶10的外表以保護(hù)電阻帶10。

這種封裝方式存在以下缺點(diǎn)：

1、通過(guò)高能電子束轟擊會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，焊接處溫度可達(dá)到1000攝氏度以上，由于電阻帶具有非常好的導(dǎo)熱能力，因此，電阻帶容易受到高溫影響而產(chǎn)生熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致其溫度系數(shù)變差，不利于電阻的制造。

2、電阻帶和紫銅帶會(huì)被納入焊縫中，該焊縫將視作為電阻帶的一部分，而由于焊縫還夾雜了紫銅帶，而紫銅帶的溫度系數(shù)較大，因此，最終導(dǎo)致電阻的整體溫度系數(shù)增大。

3、由于電子束焊的工藝局限，電子束的轟擊區(qū)域無(wú)法進(jìn)一步縮小，而焊接需要使用到一定區(qū)域的電阻帶，因此，無(wú)法對(duì)更小尺寸的電阻進(jìn)行加工。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于此，有必要提供一種電阻及其封裝方法，制備得到的電阻性能更優(yōu)異、體積更小。

本發(fā)明提供一種電阻，所述電阻包括電阻帶、絕緣基板、封裝外殼以及導(dǎo)電體，所述封裝外殼的底面凹陷成型有凹槽，所述絕緣基板與所述電阻帶一起收容并嵌設(shè)在所述封裝外殼的凹槽中，所述絕緣基板位于所述電阻帶的下表面，所述絕緣基板兩側(cè)分別形成有貫通所述絕緣基板頂面和所述絕緣基板底面的貫通孔，所述導(dǎo)電體包括填充在所述貫通孔內(nèi)的導(dǎo)線層以及與所述導(dǎo)線層電連接的電極層，所述導(dǎo)線層與所述電阻帶電連接。

進(jìn)一步的，所述電極層覆蓋所述導(dǎo)線層以及覆蓋所述封裝外殼的底面的至少部分。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)線層靠外的側(cè)面與所述電阻帶的邊側(cè)對(duì)齊。

進(jìn)一步的，所述絕緣基板為硬質(zhì)絕緣基板。

本發(fā)明提供一種電阻的封裝方法，所述方法包括：

在絕緣基板上貼裝電阻帶；

將所述絕緣基板貼在支撐板上使所述電阻帶隨同所述絕緣基板一起貼在所述支撐板上；

在所述支撐板上封裝所述電阻帶以及所述絕緣基板，得到封裝外殼；

去除所述支撐板；

在所述絕緣基板兩側(cè)分別形成有貫通所述絕緣基板頂面和所述絕緣基板底面的貫通孔；

在所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)電材料得到與所述電阻帶電連接的導(dǎo)線層；

形成與所述導(dǎo)線層電連接的電極層。

進(jìn)一步的，所述電極層覆蓋所述導(dǎo)線層以及覆蓋所述封裝外殼的底面的至少部分。