[發(fā)明專(zhuān)利]柔性面板及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010945370.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111987137A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉方梅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 何輝

本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性面板及其制備方法。柔性面板依次包括基板、薄膜晶體管層、以及有機(jī)發(fā)光二極管層。薄膜晶體管層包括薄膜晶體管，薄膜晶體管中源極、漏極和柵極為共平面結(jié)構(gòu)。有機(jī)發(fā)光二極管層包括有機(jī)發(fā)光二極管。柔性面板的制備方法包括：在基板上方形成薄膜晶體管層，其中，薄膜晶體管層包括薄膜晶體管，薄膜晶體管中源極、漏極和柵極為共平面結(jié)構(gòu)；在薄膜晶體管層上方形成有機(jī)發(fā)光二極管層，其中，有機(jī)發(fā)光二極管層包括有機(jī)發(fā)光二極管。柔性面板中，TFT采用源漏柵共平面結(jié)構(gòu)，節(jié)省一道金屬光罩，可減少一道金屬M(fèi)1層和M2層間隔絕層ILD CVD制程，節(jié)約成本；阻擋膜采用SiNx、SiO_X和Al₂O₃疊層減少應(yīng)力，改善翹曲。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體電子器件領(lǐng)域，更為具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及一種柔性面板及其制備方法。

背景技術(shù)

對(duì)于柔性頂柵銦鎵鋅氧化物(IGZO：Indium Gallium Zinc Oxide)薄膜晶體管(TFT：Thin Film Transistor)驅(qū)動(dòng)的頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管OLED產(chǎn)品，其CVD SiO₂膜層多。圖1為一個(gè)示例提供的一種現(xiàn)有的柔性頂柵IGZO TFT面板的結(jié)構(gòu)示意圖。現(xiàn)有技術(shù)是先做金屬M(fèi)1層150(柵極G)再做隔絕(ILD)層130(源極S和漏極D)再做金屬M(fèi)2層160。如圖1所示，在緩沖(buffer)層110、柵極絕緣(GI)層120、ILD層130和鈍化(PV)層140中都有用CVD方式沉積的SiO₂膜層，而SiO₂為壓應(yīng)力，多層疊加時(shí)容易出現(xiàn)翹曲，翹曲太大時(shí)，影響機(jī)臺(tái)對(duì)位，且影響后段蒸鍍和LLO等制程進(jìn)行貼合，因此，需要調(diào)試制程，減少應(yīng)力，改善翹曲。且頂柵IGZO TFT流程膜層多，光罩多，花費(fèi)大。

通常SiNx膜層防水汽能力較好，且表現(xiàn)為張應(yīng)力，與SiO₂應(yīng)力方向相反，增加SiNx膜層的厚度，有利于改善翹曲。

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的頂柵IGZO TFT光罩多、膜層多、花費(fèi)大的問(wèn)題還未提出有效的解決方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明創(chuàng)新地提供了一種柔性面板及其制備方法，柔性面板中TFT采用源漏柵(GSD)共平面結(jié)構(gòu)，節(jié)省一道金屬光罩。

為實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的，一方面，本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性面板。所述柔性面板依次包括基板、薄膜晶體管層、以及有機(jī)發(fā)光二極管層，其中，所述薄膜晶體管層包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管中源極、漏極和柵極為共平面結(jié)構(gòu)，所述有機(jī)發(fā)光二極管層包括有機(jī)發(fā)光二極管。

進(jìn)一步地，所述柔性面板還包括位于所述基板和所述薄膜晶體管層之間的阻擋膜，所述阻擋膜依次包括SiNx層、SiOx層、SiNx層和Al₂O₃層。

進(jìn)一步地，對(duì)于所述柔性面板，所述薄膜晶體管層包括遮光層、包裹所述遮光層的緩沖層、有源層、柵極絕緣層、以及位于所述柵極絕緣層上方的源極、漏極和柵極層、以及包裹所述有源層、所述柵極絕緣層、以及所述源極、漏極和柵極層的鈍化層。

進(jìn)一步地，對(duì)于所述柔性面板，所述緩沖層包括SiNx層和SiOx層。

進(jìn)一步地，對(duì)于所述柔性面板，所述有機(jī)發(fā)光二極管層包括平坦層和在所述平坦層上方的像素定義層、位于所述平坦層和所述像素定義層之間的所述有機(jī)發(fā)光二極管的第一電極、以及位于所述像素定義層上方的所述有機(jī)發(fā)光二極管的第二電極，其中，所述第一電極通過(guò)所述平坦層中的過(guò)孔和所述鈍化層上部的洞與所述源極相連，通過(guò)所述像素定義層中的開(kāi)口露出。

為實(shí)現(xiàn)上述的技術(shù)目的，另一方面，本發(fā)明公開(kāi)了一種柔性面板的制備方法。所述柔性面板的制備方法包括：在基板上方形成薄膜晶體管層，其中，所述薄膜晶體管層包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管中源極、漏極和柵極為共平面結(jié)構(gòu)；在所述薄膜晶體管層上方形成有機(jī)發(fā)光二極管層，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管層包括有機(jī)發(fā)光二極管。