[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 202010940261.7
• 申請日: 2020-09-09
• 公開（公告）號: CN112086469A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 饒娉;李松杉
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G09F9/30
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本發明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，所述陣列基板包括柔性基板、致密膜層、緩沖層以及有源層；所述致密膜層設于所述柔性基板上；所述緩沖層設于所述致密膜層上；所述有源層設于所述緩沖層上。本發明在第二PI基板與緩沖層之間設置致密膜層，在高溫工藝中，如準分子鐳射結晶過程，致密膜層可以降低外部對柔性基板的熱傳導，起到保護柔性基板的作用，從而提升產線良率，節約了制造成本。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

目前，柔性屏幕與剛性屏最本質的差異在于柔性屏采用延展性比較好的聚酰亞胺(PI)為基底，一般柔性屏陣列基板(Array)的制作工藝是先涂布聚酰亞胺溶液形成柔性基板，之后再沉積低溫多晶硅(Low temperaturepoly-silicon，LTPS)形成有源層，再次進行準分子鐳射結晶(Eximer laser annealing，ELA)等高溫制程，之后再進行后續的化學物理沉積過程完成陣列基板的其他層。

眾所周知，Array基板的好壞取決于其制作的半導體電路的電壓和遷移率(mobility)。因此，有源層中的準分子鐳射結晶至關重要，目前由于準分子鐳射結晶的瞬間溫度可達1200-1400攝氏度，能量高達440-500mj(mega joule,兆焦耳)，會造成柔性基板的燒傷，長時間之后，柔性基板里的水氧也會慢慢入侵到有源層，從而影響有源層的半導體性能。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置以解決高溫條件下制備有源層時容易燒傷柔性基板，柔性基板損傷影響有源層的半導體性能的技術問題。

為實現上述目的，本發明提供一種陣列基板，包括柔性基板、致密膜層、緩沖層以及有源層；所述致密膜層設于所述柔性基板上；所述緩沖層設于所述致密膜層上；所述有源層設于所述緩沖層上。

進一步地，所述致密膜層的材質為鋁氧化物和/或鈦氧化物。

進一步地，所述致密膜層的厚度為5-10um。

進一步地，所述柔性基板包括第一PI基板、屏障層以及第二PI基板；所述屏障層設于所述第一PI基板上；所述第二PI基板設于所述屏障層上。

為實現上述目的，本發明還提供一種陣列基板的制備方法，包括如下步驟：

形成一柔性基板；

形成一致密膜層于所述柔性基板上；

形成一緩沖層于所述致密膜層上；以及

形成有源層于所述緩沖層上。

進一步地，在所述形成一致密膜層于所述柔性基板上的步驟中，在所述柔性基板上沉積鋁氧化物和/或鈦氧化物，形成所述致密膜層。

進一步地，在所述形成一致密膜層于所述柔性基板上的步驟中，通過磁控濺射的方式在所述柔性基板上沉積鋁氧化物和/或鈦氧化物，形成所述致密膜層。

進一步地，采用低溫多晶硅的工藝在所述緩沖層上形成所述有源層。

進一步地，所述形成一柔性基板具體包括：形成一第一PI基板；形成一屏障層于所述第一PI基板上；以及形成一第二PI基板于所述屏障層上。

為實現上述目的，本發明還提供一種顯示裝置，包括前文所述的陣列基板。

本發明的技術效果在于，提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，在第二PI基板與緩沖層之間設置致密膜層，在高溫工藝中，如準分子鐳射結晶過程，致密膜層可以降低外部對柔性基板的熱傳導，起到保護柔性基板的作用，從而提升產線良率，節約了制造成本。

附圖說明