[發(fā)明專利]一種硅片不良片的制絨處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010938254.3 | 申請日: | 2020-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN114242829A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊圣合 | 申請(專利權(quán))人: | 東莞新科技術(shù)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/268;H01L21/02;C30B33/10 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫 |
| 地址: | 523087 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 硅片 不良 處理 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種硅片不良片的制絨處理方法,包括:將刻蝕后的不良片置于紫外燈下照射20min;其中,紫外燈的功率為150W;對預(yù)先配置的堿性制絨液進(jìn)行加熱處理;其中,堿性制絨液的加熱溫度為80℃;將照射后的硅片放置在堿性制絨液中浸泡5min,進(jìn)行堿制絨處理;對堿制絨后的硅片進(jìn)行清洗處理。采用本發(fā)明的技術(shù)方案能夠有效減少資源浪費(fèi),降低生產(chǎn)成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及微電子加工技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種硅片不良片的制絨處理方法。
背景技術(shù)
近年來,微電子行業(yè)迅速發(fā)展,提倡節(jié)約、杜絕浪費(fèi)、降低生產(chǎn)成本是企業(yè)生產(chǎn)控制的主要目標(biāo)。
在實(shí)際生產(chǎn)過程中,由于設(shè)備或者工藝問題,各個工序都會產(chǎn)生不合格的產(chǎn)品,如果不對這些不合格產(chǎn)品進(jìn)行處理,直接報廢,會對企業(yè)造成很大損失,從而造成資源浪費(fèi),增加生產(chǎn)成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種硅片不良片的制絨處理方法,能夠有效減少資源浪費(fèi),降低生產(chǎn)成本。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片不良片的制絨處理方法,包括:
將刻蝕后的不良片置于紫外燈下照射20min;其中,紫外燈的功率為150W;
對預(yù)先配置的堿性制絨液進(jìn)行加熱處理;其中,堿性制絨液的加熱溫度為80℃;
將照射后的硅片放置在堿性制絨液中浸泡5min,進(jìn)行堿制絨處理;
對堿制絨后的硅片進(jìn)行清洗處理。
進(jìn)一步地,所述堿性制絨液由NaClO3溶液與NaOH溶液配制而成,NaClO3溶液與NaOH溶液的濃度比為30:1,溶劑為去離子水。
進(jìn)一步地,所述對堿制絨后的硅片進(jìn)行清洗處理,具體包括:
將堿制絨后的硅片放置在去離子中漂洗10min;
將漂洗后的硅片放置在濃度為5%的HCl溶液中酸洗1min;
將酸洗后的硅片放置在去離子水中漂洗10min。
進(jìn)一步地,所述方法還包括:
采用光刻膠對清洗后的硅片進(jìn)行處理,相應(yīng)制成成品。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片不良片的制絨處理方法,通過將刻蝕后的不良片置于紫外燈下照射20min;其中,紫外燈的功率為150W;對預(yù)先配置的堿性制絨液進(jìn)行加熱處理;其中,堿性制絨液的加熱溫度為80℃;將照射后的硅片放置在堿性制絨液中浸泡5min,進(jìn)行堿制絨處理;對堿制絨后的硅片進(jìn)行清洗處理;能夠?qū)Σ涣计M(jìn)行再次處理并重新使用,從而能夠有效減少資源浪費(fèi),降低生產(chǎn)成本。
附圖說明
圖1是本發(fā)明提供的一種硅片不良片的制絨處理方法的一個優(yōu)選實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本技術(shù)領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種硅片不良片的制絨處理方法,參見圖1所示,是本發(fā)明提供的一種硅片不良片的制絨處理方法的一個優(yōu)選實(shí)施例的流程圖,所述方法包括步驟S11至步驟S14:
步驟S11、將刻蝕后的不良片置于紫外燈下照射20min;其中,紫外燈的功率為150W;
步驟S12、對預(yù)先配置的堿性制絨液進(jìn)行加熱處理;其中,堿性制絨液的加熱溫度為80℃;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





