[發明專利]距離傳感器像素陣列結構、距離傳感器及工作方法在審
| 申請號: | 202010933572.0 | 申請日: | 2020-09-08 |
| 公開(公告)號: | CN112038360A | 公開(公告)日: | 2020-12-04 |
| 發明(設計)人: | 東尚清 | 申請(專利權)人: | 上海大芯半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01S7/481;G01S7/4865;G01S17/08 |
| 代理公司: | 上海啟核知識產權代理有限公司 31339 | 代理人: | 王仙子 |
| 地址: | 200131 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 距離 傳感器 像素 陣列 結構 工作 方法 | ||
本發明揭示了一種距離傳感器像素陣列結構、距離傳感器及工作方法。距離傳感器像素陣列結構包括呈陣列排布的多個像素單元,每個像素單元包括單光子雪崩二極管,相鄰所述像素單元分時工作,由此在工作時,可以分時段依次開啟相應位置的單光子雪崩二極管,則在某個像素單元工作時,它上下左右相鄰的像素單元都處于非工作狀態,則串擾很難達到另一個正在工作狀態的像素單元,使得串擾情況得以改善,而且,也不會產生誤觸發;基于此,本發明實現了相鄰像素間距得以縮小,從而能夠大大提高分辨率。
技術領域
本發明涉及傳感器技術領域,特別是涉及一種距離傳感器像素陣列結構、距離傳感器及工作方法。
背景技術
D TOF(直接飛行時間)距離傳感器是基于spad(單光子雪崩二極管)的雪崩觸發。在分辨率高時,pixel pitch(相鄰像素間距)需要非常小,如1μm、2.5μm、3.5μm,5μm、10μm等,小的pixel pitch時容易受到相鄰像素的串擾影響。
當pixel pitch降低時,串擾會急速增加。相對于image sensor或者I TOF,DTOF的串擾將引起相鄰spad的誤觸發,直接導致圖像糊成一片,而不是只帶來距離誤差或者分辨率降低。因此,目前D TOF的pixel pitch很大,如20μm、30μm等,導致分辨率較低。
因此,當D TOF實現VGA、QVGA等分辨率時,需要把pixel pitch降低到如5μm,此時就必須要解決串擾問題。
發明內容
本發明的目的在于,提供一種距離傳感器像素陣列結構、距離傳感器及工作方法,降低相鄰像素單元之間的串擾,規避單光子雪崩二極管的誤觸發。
為解決上述技術問題,根據本發明的第一方面,提供一種距離傳感器像素陣列結構,包括:
呈陣列排布的多個像素單元,每個像素單元包括單光子雪崩二極管,相鄰所述像素單元分時工作。
可選的,相鄰i行j列的像素單元構成一組像素單元,所述的距離傳感器像素陣列結構包括所述多組像素單元。
可選的,相鄰所述像素單元之間設置有完全金屬隔離結構。
可選的,還設置有多個濾光片,每個所述濾光片對應設置在每個像素單元上,至少部分所述濾光片為不同波長的濾光片。
根據本發明的第二方面,提供一種距離傳感器,包括如第一方面所述的距離傳感器像素陣列結構。
根據本發明的第三方面,提供一種距離傳感器的工作方法,包括:
相鄰像素單元之間的單光子雪崩二極管分時工作。
可選的,所述距離傳感器包括多組像素單元的陣列,每組像素單元在不同時間段開啟不同的像素單元,且相鄰組像素單元開啟的像素單元之間至少間隔一個像素單元。
可選的,每個像素單元陣列按照像素排列位置分時工作。
可選的,采用逐行掃描形式,奇數列和偶數列的像素單元分時工作。
可選的,采用逐列掃描形式,奇數行和偶數行的像素單元分時工作。
與現有技術相比,本發明的技術方案中,距離傳感器像素陣列結構,包括呈陣列排布的多個像素單元,每個像素單元包括單光子雪崩二極管,相鄰所述像素單元分時工作,由此在工作時,可以分時段依次開啟相應位置的單光子雪崩二極管,則在某個像素單元工作時,它上下左右相鄰的像素單元都處于非工作狀態,則串擾很難達到另一個正在工作狀態的像素單元,使得串擾情況得以改善,而且,也不會產生誤觸發;基于此,本發明實現了相鄰像素間距得以縮小,從而能夠大大提高分辨率。
附圖說明
圖1為一種D TOF像素單元陣列示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海大芯半導體有限公司,未經上海大芯半導體有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010933572.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種內分泌科治療床
- 下一篇:距離傳感器像素陣列結構、距離傳感器及工作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





