[發(fā)明專利]一種上電檢測電路及上電檢測方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010927387.0 | 申請日: | 2020-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN112187232A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳佳;李禮;陳佳;余云;劉碧貞 | 申請(專利權)人: | 上海威固信息技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/22 | 分類號: | H03K17/22 |
| 代理公司: | 上海海貝律師事務所 31301 | 代理人: | 王文鋒 |
| 地址: | 201702 上海市青*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 檢測 電路 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種上電檢測電路及上電檢測方法,包括第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第一反相器、第二反相器和D觸發(fā)器;第一PMOS晶體管的柵極、源極和體連接電源VDD,漏極連接第一NMOS晶體管的源極、漏極和體、第一反相器的輸入端IN和D觸發(fā)器的輸入端D;第一反相器的輸出端OUT連接第二反相器的輸入端IN;D觸發(fā)器的輸入端R連接復位信號RESET,D觸發(fā)器的輸入端CLK連接第二反相器的輸出端OUT,輸出端Q輸出上電檢測信號P。本發(fā)明采用純CMOS電路實現(xiàn)上電檢測功能,檢測完成后無動態(tài)功耗,功耗極低,解決了傳統(tǒng)上電檢測電路結構的弊端,適用于低壓,低功耗的集成電路芯片應用。
技術領域
本發(fā)明屬于集成電路設計技術領域,具體涉及到一種上電檢測電路及上電檢測方法。
背景技術
在集成電路芯片設計中,越來越多的設計方案中需要對系統(tǒng)的上電狀態(tài)進行檢測。而對于上電狀態(tài)檢測而言,目的本身就是根據(jù)實際需要而多樣化的。如,由于數(shù)字邏輯電路上電過程容易出現(xiàn)數(shù)字邏輯錯誤,通常需要在電源電壓達到電路的工作電平前,利用復位信號對電路進行初始化,以保證數(shù)字邏輯的正確性,而產(chǎn)生復位信號的電路就是上電檢測電路。又如,在某些特定應用系統(tǒng)中,需要對系統(tǒng)的上電狀態(tài)進行控制、計數(shù)、實時監(jiān)控等,也需要采用上電檢測電路。
有從業(yè)者提出過很多上電檢測電路的設計。
如,目前常用的上電檢測電路如說明書附圖5所示,電源電壓VDD上升階段,電阻R1和電容C1組成延遲電路,VP電壓緩慢上升,PM1和NM1組成反相器結構,反相器閾值電壓與MOS器件的W/L有關,當VDD上升較快,VP由于延遲作用上升較慢時候,PM1導通,NM1截止,這樣通過I1反相器整形,產(chǎn)生s_porb=L的檢測信號,當VDD穩(wěn)定后,VP=VDD,通過反相器整形,s_porb=H,芯片正常工作且無靜態(tài)功耗。但這種結構的檢測電路對VDD的慢上電的應用無效,因為慢上電情況下,VP始終等于VDD,因此s_porb始終為H,無法產(chǎn)生復位/置位信號。
又如,說明書附圖6所示的也是一種常用的上電檢測電路。PM3,PM5,NM3二極管串聯(lián)連接,當VDD低于三個MOS器件閾值電壓情況下,VP始終為低電平,輸出s_porb=L,為復位/置位階段,當VDD足夠高的情況下,PM4導通,VP被充電至VDD,因此s_porb轉變?yōu)楦唠娖剑酒9ぷ鳎瑥亩_到了上電檢測的功能,而且這種方式對VDD的上電速度并不敏感。這種結構有兩個問題,第一,由于MOS管二極管串聯(lián)使用,使得VDD的最小啟動電壓為MOS器件閾值的整數(shù)倍,無法低電壓環(huán)境下使用;第二,MOS管通路始終存在靜態(tài)功耗,無法應用于低功耗環(huán)境下。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術存在的技術問題,本發(fā)明提供一種結構原理簡單、易實現(xiàn)、功耗低、面積小、速度快的上電檢測電路及上電檢測方法。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用以下技術方案:
一種上電檢測電路,包括第一PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第一反相器、第二反相器和D觸發(fā)器;輸入端有電源VDD、地GND和復位端RESET,輸出端為上電檢測信號P。其中:
所述第一PMOS晶體管的柵極、源極和體連接電源VDD;所述第一PMOS晶體管的漏極連接所述第一NMOS晶體管的源極、漏極和體,以及第一反相器的輸入端IN和D觸發(fā)器的輸入端D。
所述第一NMOS晶體管的漏極、源極和體連接第一PMOS晶體管的漏極、第一反相器的輸入端IN和D觸發(fā)器的輸入端D,所述第一NMOS晶體管的柵極連接地GND。
所述第一反相器的輸入端IN連接第一PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的源極、漏極和體,以及D觸發(fā)器的輸入端D;第一反相器的輸出端OUT連接第二反相器的輸入端IN。
所述第二反相器的輸入端IN連接第一反相器的輸出端OUT,第二反相器的輸出端OUT連接D觸發(fā)器的輸入端CLK。
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